請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好

james65chan

有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，
請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
! C9 y" _! X. P! h" w
. P) f5 E5 c6 {' DP/N MOS 如何達到穩壓的效果

motofatfat

同意樓上的看法
以原理來看
6 G. P3 A! ]; j' p3 j9 E2 `PMOS 的載子 是 電洞
NMOS 的載子 是 電子
電子移動較快
% y& n/ @8 \, i( P1 b" q" g如果無其他考慮
# i! c5 a) R1 c  J3 kNMOS 似乎 較佳

duanzy

个人看法，仅供参考：
% e- S  C* @9 }. l& f8 q# g/ m8 j
. {  M( X* J$ o9 m( {9 b* }( J8 L# n用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
: R* Z( w: z( `( g" |
但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~

james65chan

嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
是否就應用 pmos 電容，
因其include 在nwell 中，
沒錯DRC RULE會較大，影響size.

+ B. C5 `) |  z  L+ _/ G( e* R
9 u7 B7 P8 A  x所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？

shucai

从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.