請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好

james65chan

有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，
5 ?" v. e$ W& {8 f. V+ i0 G請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
$ v8 q5 g9 M/ v
$ u) G0 O1 _4 p1 ^4 MP/N MOS 如何達到穩壓的效果

shucai

从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.

james65chan

嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
5 `) a9 J0 @# b. q, f$ z是否就應用 pmos 電容，
因其include 在nwell 中，
. s. Y# H+ L4 G沒錯DRC RULE會較大，影響size.


# M, @: N9 _! m0 @* ^所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？

duanzy

个人看法，仅供参考：
: _0 ?: _: _2 S1 J+ v* ~
- @, o& V! I# o; }( f用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。

但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~

motofatfat

同意樓上的看法
以原理來看
. ]4 M8 F, L' w( |" `- Z- w) UPMOS 的載子 是 電洞
NMOS 的載子 是 電子
電子移動較快
: P1 E6 A- d: O4 F( d; O7 I$ j8 u如果無其他考慮
NMOS 似乎 較佳