請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好

james65chan

有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，
" S' u* `2 k) {9 D請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
( M# D& R  j! c6 q: L# i1 N, R
; }" p$ }% j* K, MP/N MOS 如何達到穩壓的效果

shucai

从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.

james65chan

嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
是否就應用 pmos 電容，
9 a; f5 U- a% w- V- M4 [: {  V( `因其include 在nwell 中，
; |/ t% `, d5 }3 G* d沒錯DRC RULE會較大，影響size.
' V6 n/ d/ q7 h; X, b
& C* ^( t9 t2 g1 `4 N6 }% d/ H) H8 B
" H  Y  J5 w8 }; }/ {( t* S所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？

duanzy

个人看法，仅供参考：

: C+ o9 i% p7 j9 W% J用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
0 a9 \; z6 s) i0 N2 x( |# g, z4 ~
但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~

motofatfat

同意樓上的看法
/ w+ Q/ j; [' R( O6 H/ i以原理來看
. j2 Q/ S: f9 ~PMOS 的載子 是 電洞
NMOS 的載子 是 電子
8 \& @7 N% m( v) @; h* h電子移動較快
* j5 L( M, E/ c) B如果無其他考慮
) E- m3 Z7 |6 y% D( x5 ?, k; p8 RNMOS 似乎 較佳