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1#
發表於 2009-8-27 19:58:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問板上大大,lay ESD mos 有什麼須要注意的地方嗎? 感恩感恩…
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2#
發表於 2009-8-28 12:41:00 | 只看該作者
正統的話 應該還是按照DESING RULE 去畫  比較不會有問題喔
# P; P( k& |5 l. K& J0 z, C希望這建議對你有幫助
3#
發表於 2009-8-28 13:34:20 | 只看該作者

ESD mos

1. poly width 選定( U; T2 r! b+ M0 I: y- H
2. cont 到 poly gate 的距離
, ]" j; @  g( g" D  v* l3. cont 到 od edge 的距離' w7 I, G8 S* K. ~+ b; Y4 q
4. P/N mos 的距離
2 i* s. r, L+ V5 d$ _' ^& C8 v: p5. ground ring width
  A$ T9 Z* O5 F) c3 C6. 是否加 dob-Ring% R; f* C/ h, @: x* o
7. P/N mos width 的選定
4#
發表於 2009-8-28 14:44:27 | 只看該作者
同意樓上ㄉ看法
4 v& P, e1 c; m粉多時候是經驗值5 P* r5 r! y4 Q: y+ X" w' `8 |# x
ESD mos8 m3 }$ X; l$ M# }
1. poly width 選定
6 `& T9 n$ y, u4 P% @2. cont 到 poly gate 的距離-------  通常是 一般rule  ㄉ 2-3 倍左右
  ~9 |# u+ u* _- Y+ B3. cont 到 od edge 的距離  ------  通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:19 n" H6 g5 X6 W
4. P/N mos 的距離. ~; P! w' j$ p4 [+ S  C
5. ground ring width-   ---------  通常是2個VIA 以上的寬度6 O3 X" O& B% I5 Z& M1 M! u
6. 是否加 dob-Ring      ---------  通常是一定要ㄉ
8 e6 N+ |6 ^. t* D/ i& ~7. P/N mos width 的選定
( U7 a) _$ k) u! g   補充一點- ^' O& s- G2 M% T! y
8.看製程 決定 RPO  or ESD LAYER ㄉ使用
5#
發表於 2009-8-29 12:03:29 | 只看該作者
還有metal線也必須注意 source 跟 drain 的metal line注意平均 還有最後可以用top metal做補強 top metal 較厚可以承受比較大的電流
6#
 樓主| 發表於 2009-9-4 09:04:32 | 只看該作者
感恩感恩…
5 T. N5 Y. B1 y. n! Z讓我又多學了一些相關知識了
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