|
我是剛設計rf電路新手,在設計好電路後layout時
- R* p6 X. g9 b E$ y: U, L0 N' c, Y
發覺rf的mos最外圈有兩層,最內圈是body而最外圈是deep n-well2 `2 D" s H& o2 h [' a
2 X3 P9 K R3 u4 H9 J6 u- W
我那時不知道那是deep n-well,而在layout時nmos那圈我都接地; L5 [7 `' ^) [
! i* x+ o, Y5 _& f- ^ X
而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了,所以我不需要動它
& [6 v! \( {/ F$ W
4 P3 v8 y8 d6 m5 G% d在我最近下線完後發覺好像不太對,我把nmos flatten掉才知道
+ n/ J& _- }: b9 S* Y
* U6 V6 _/ ]9 S它叫deep n-well,nmos的body是p型,那我還把deep n-well接地
% Z% P4 a. O% D# \5 s; W) P- o# V; J0 M! h5 f: j3 N
那不是有可能順偏,我電路中body都跟source接在一起,而我的電
4 l6 {8 x0 p8 ]4 ^( y; Z
. r% x- D9 }/ G路中source又不一定接地,那這樣子我的電路很有可能不work嗎?
% @3 ^( O4 Q5 E% {
& q9 ~: `- m1 K* T9 z- |1 sdeep n-well是一個電晶體配一個,還是整個wafer配一個,若是整個wafer
9 W9 L" C1 T; n: b( v/ C) w0 j9 A/ w, S, `* q
一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接?
* @# M, L% G, Q8 h3 S1 q2 ?! v2 U
1 {9 `( C3 v1 T$ w那deep n-well我該怎樣接才對?1.與body接在一起2.不要接(浮接)( V; A" H; D; \" U8 S4 `8 h$ V
1 D# ]3 [: f# L; v8 U% l, I3.接到最高電位。那種方式會比較好,而一般會用那種方法?
2 J0 X" M- c0 Z+ _( t9 @& m$ K! X4 Y% ]
而我所使用的是.18製程。 |
|