deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時

發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
6 o7 u/ i# ~! n7 B
5 O7 c5 I+ q& p, `$ L我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地
" D9 \* I& ?" ^. h% m: J
而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它

在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道
8 s) n# h; [) I( {/ E9 V
; o2 _- u) q! C, I- Z7 N它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
! L( P6 z4 d7 t0 v
$ k* S; F4 Q8 ^3 O% s$ d+ j5 i* {那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
: D4 i; ^% c5 }# y7 K
路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？

deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer

- l2 F  B' G  z1 n* t1 d) v# i一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？

7 v3 H6 r9 W" D1 _" s! N$ `那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)
' s7 c8 Z8 u4 v) Z. F4 Q
/ p* w8 H: f" r7 l. U3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
% Y4 j- W. z# i' X
而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
$ v! N2 L& l( |/ ?2 I( f過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
8 w" G8 ^4 R- r2 m+ |/ z有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的