deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
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, Z5 Q6 A5 @2 m) k* }7 ?+ Z: d4 h# m發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
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. C. O3 y. H* E5 U  v# I! P* f我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地

而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它
  K. @4 X5 M9 v2 d* b4 \
! `4 b7 _0 n: d& b' e# s在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道

4 o0 {5 S6 S( n# {+ i它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地

* Z* b8 U- x( K3 \那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
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路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
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deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer

9 Q- P9 \# c3 ~5 [* i一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？

2 D& h; J3 X. L9 y那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)
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2 R6 v( m8 q+ W" [3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？

8 ]! ~4 f" ^# j6 A6 a2 K/ M2 ]而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
  x; O- v3 A+ ]6 i" R* D2 A) J上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的