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[問題求助] HSPICE問題

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1#
發表於 2009-7-29 14:06:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
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& N! d" p2 W$ l2 ]6 d- h這個是我所寫得NMOS飽和區的程式那寫出來的圖形要怎樣才可以求得(UNCOX)
6 ^5 s) I) ]1 D+ W是要找飽和的其中一個點來判斷嗎?
, m1 g7 Z2 E, y& t- [請大大幫我解答一下
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2#
發表於 2009-7-30 11:22:11 | 只看該作者
你是指un*Cox吗?+ r& X  |% E- L6 @3 m5 m+ Y4 B
un可以在NMOS管的spice model文件中找到U0;而Cox=Epislon0*EpislonSiO2/tox;其中Epislon0是真空的导电率,EpislonSiO2是SiO2的相对导电率,tox是栅氧厚度,tox也要在NMOS管的spice model 中找。
3#
發表於 2009-7-30 12:23:33 | 只看該作者
ucox.  is  outof date now.
) S( }& S) G1 h6 _you can not use it in deep submicron design.
4#
發表於 2009-8-19 00:30:10 | 只看該作者
不同channel,參數值就都不一樣,提醒你要注意一下!
5#
發表於 2009-8-23 15:06:03 | 只看該作者
不好意思想請問一下為什麼會想知道UnCox呢) K- J; J% w. d1 z& K
一般不是都直接從Hspice中知道gm就ok了
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