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方法(一)、(二)、适用的振荡器结构为比较器+�流源+电容+latch
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( ]/ I! n$ p6 |' s Q0 Y(一)& Q, n7 E3 j) r
1)使用低温漂电阻。" j! F0 f) @( m, `
2)如果没有低温漂电阻,就用正温系数的电阻串联负温系数的电阻,去等效低温漂的电阻。
{. X' _, }$ R" c; G. A. J! n' `2 d根据f=1/RC. J9 S( {6 v, T4 V" d9 _
若有低温漂电阻,则可省去基准。方法是用电源分压产生Vref,再把Vref加到低温漂电阻上产生Iref即Iref=Vref/R。可抵消电源对输出频率的影响
. O. X1 g; O* u* f(二)
7 ^; j) g1 ~ q2 C* V# m如果低温漂电阻无法实现。2 {' N8 y; @& _- X8 q0 i: _' o
则可使用电压基准+电流基准,由电压基准生成Vref,由电流基准生成Iref。
! v9 t; o: @: v; U% n. FIref=Iptat+Ictat% f7 v8 t( p, _8 ^" I
Ictat可由Vbe/R产生。
2 }% b# a+ `6 Y1 }1 }- u% W(三); E7 D- s" W- X8 K& g0 ~% ^
交叉电荷泵+积分器+比较器+latch) b5 Q2 Q, U4 s/ O0 f
这种结构也需要低温漂电阻,但是电路结构比较特别,频率可以做的相对高些。
" Z" Y) b1 R8 u, H8 p% U' f; f见Maxim专利US7109804,该专利介绍了RC-OSC的发展史,提及了进化过程中较有特点的几种OSC电路结构,并进行了优劣对比和特点介绍。" P( s" W; l6 R* i; b$ [' q
Maxim多款RC-OSC采用该专利所提及的电路结构,建议大家仔细研究。
; D2 b @% @" f- @附件为专利US71098044 T5 D# E, Q. p" c& u
若附件无法下载大家可去freepatentsonline查询下载。
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- _4 e& M! q1 q/ Z; y若大家有好的方法,请不吝赐教!
! M9 m5 q- j5 v) Y+ ^' b我们互相学习!
( F8 v% ~6 }, Q2 _3 y& m; m, l谢谢! |
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