關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
3 K% T$ j8 c- R+ Z" D. k
$ N4 b) D+ Q8 E, b" e4 e參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
3 p8 N, \$ {4 r! M  z* o# M$ C; ?我們的place方案是：
1: A B A B
- ]7 K" Z9 k- _6 z  |0 w   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
& y8 Y7 m# _; m  h! t2: A B B A
   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
% p9 E, q8 ?7 M) a5 L( j
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
& x# I" r1 L3 F+ z3 h
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?

; y( r& ~5 L3 P  c沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
3 T0 v& [+ ^6 O# Z; l' I& O4 S大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
1 X# y! v' O# X, S. o1 t第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
/ \$ Q! t% E! |) y0 F- \第三种分散性不如第二种。

[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

+ X) q$ _% Z" Y6 Y  _: \- a1 B3 F然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
8 X  Y; h- M" M5 i9 Y6 w! @
* R9 a* S/ Z/ {9 W7 C$ G可是為什麼電流方向不一致@@?
; e2 p; c7 K7 v  Q
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

) j( Q- ]1 N4 H* e) i+ W如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
* E7 c3 H/ b. W* @  q# y所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
$ E' i2 E6 {+ V9 H: W. `9 Y
; }# C' W7 @  @主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
8 M2 N# `; A- s" V: r/ w( y若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
/ C( y% S/ _2 U1 k- o7 U
- C" S' G# F' r. |& j1 r光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
! r! e5 z1 `! o/ _9 a7 X5 |' t電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
, A: e% @9 D' D# h& m都 ...

' t7 }, C) J% d9 e+ n
6 W& w8 |9 n3 p8 i5 r4 ~6 d

* @1 w" i( W  V  ~/ P; C* C! m第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
8 v/ s" j& A2 f" ^5 L( U. L+ f如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

3 o8 n& D; V+ x3 J1 V9 a


                  
1 C% g+ n, v7 l" U. a4 O8 M                 
2 `$ v, p+ V) O- O) ]0 g+ b. j: ^請問STI效應具體指？

                                                               
1 e& a0 y7 Y; g1 ~                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
  M. e* t1 L6 t) O9 P$ m　A      B          A      B
        x        X         x
" g2 J  Y  X+ x5 X. [0 B　B      A          B      A   
. `: ^4 N# a* R. h) [( Q. Y　　x1　　　　　x2
: q+ y& h. [: Q2 Dx1 屬於 common-central
5 _: Z( G- j8 C- s. p. A( J' nx2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
$ a) Q5 O# y2 ]方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

) }/ b$ C% T. U; Y( w    何解? RD不一定正確吧?