關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
, {0 D' q# @$ J+ U. {1 `6 ~+ x: I( ?1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
, c/ Z, f) i. s( u3 M3: A A B B
* G8 j" F7 d" P5 D& `8 M, d   B B A A
! y7 D; s2 Z( t: U3 v對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

$ ~3 x$ e1 ]( B2 m2 B2 u大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
5 m+ |+ J, ^2 g9 [  H4 Z
; m, }2 ~8 I! m+ j沒人知道嗎?
6 d! q. [% ?3 @. w# _
1 j2 V$ ^+ }9 R5 e+ W3 A沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
' C( n3 U( ^/ u8 P$ c大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。
* y- @! F+ {$ n" V0 n3 _# U6 R
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
: |$ s( W& {0 b
可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

+ D7 O  a( ]4 v0 p  |可是為什麼電流方向不一致@@?
$ j6 m8 x3 Q+ ^
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

9 o& i; b+ \) ?如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
0 i8 K9 Q! G% c  C
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
0 e. f* f6 n( k* f* h0 ~2 E, Q
光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
" w! _0 b- {7 {電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
  |5 |* m4 C6 v" e: x電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

" k9 W$ O  ^6 @9 k$ _! t1 e; f; z
+ b0 ]# U& w3 Q. A( Q5 S
4 L9 ^& A4 H- W$ U/ L* g/ S
8 x6 K, {# V/ s( G! N; ]$ d第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
% w& d4 B6 {: D. R4 y" f
, x( p/ |# u0 e( F* p# d+ g# J$ R我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
' j" \) O$ z5 I# I$ t, Q' H: ~如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

7 {6 r2 W* p" R. Z( U8 u7 d

                  
- G) |! R' y7 ~9 M$ K8 m  O* G                 
請問STI效應具體指？

                                                               
) K8 O+ j% }. X3 n$ ?0 p! z                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
$ W' y: D6 C- d8 U! Q, N        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
( l; j- c1 T. D  x' G8 ]- x
如果不共用
　A      B          A      B
7 G& p2 R+ c% M: A& T8 u- g        x        X         x
/ `3 d. I* O8 r6 a1 Z　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
6 M7 E. E* b  q1 f: }x1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
5 [( [  Z1 g% w) [3 Q- [# N* |) s兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

. x2 t$ z. N8 V8 f# L' V
9 ~" L! ?8 f% ?方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
4 f8 [; Z+ d1 K/ P1 u2 ~方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
/ g7 x) u# k8 p我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

" k! B3 F" \( u% Q$ B2 R

% S; F) o& @* O- D6 d% T- _    何解? RD不一定正確吧?