請問一下BJT的導通電壓?

leaf1989

各位大大我想要請問一下.35製程BJT的VBE導通電壓為多少?我看它裡面的參數值都看不懂哪個是關於它的電壓~
$ Q( M! B* k  w6 ?3 A9 M請麻煩說明一下要怎麼看?我指的是PNP10、5跟NPN10、5的兩種情況。

corsair

可以直接畫出來阿
) A; l4 R, {. m5 Ilx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值
. ^+ d- |& ^) k- R另外在p-sub standard process中
3 V7 T2 ~% v" C. QPNP不需要額外的mask，但NPN就要喔
% S: ?) e+ L8 M- k7 R. q8 a2 A10跟5應該是指emitter的邊長吧

shangyi

看不懂問題....
$ _/ t( a1 ]) [; g+ s5 k6 y" a& w- _7 jVBE不是跟電流有關???
: M  ^4 ]. X1 L0 G9 G* N印象中 VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)....如果沒記錯的話!!
& D7 s6 ^. B* u7 h  V6 C. Y所以你的導通電壓是指??

leaf1989

VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)這個我知道~不過製程裡面有IO嗎?我不知道要帶什麼值進去?
. q- r+ i/ F9 A9 c3 o- m; O, r大大 lx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值?可以說明詳細一點嗎?以下是參數值
& P% {9 m2 W2 i.MODEL pnp10 PNP (                               LEVEL  = 1                  
* E; A# {2 O  d! T1 @9 X+ A. c+ BF     = 6.35            NF     = 1.01            ISE    = 2.95E-17           
6 \& @0 q* a2 k7 k, }+ NE     = 1.9             IS     = 2.95E-17        RB     = 71                 
+ IRB    = 9.5E-4          RBM    = 0.1             RE     = 2.35               
4 J' H" A4 k. C$ `- Z; L. O+ IKF    = 1.95E-3         NKF    = 0.549           VAF    = 300               
$ m, y" e$ {6 d$ k- d& a+ BR     = 0.01116         NR     = 1               ISC    = 2.95E-17           
1 @2 f- `+ x  u4 d+ Q+ NC     = 1.1             RC     = 21.08           IKR    = 0.087818           
+ VAR    = 7.8             TBF1   = 6.7E-3          TBF2   = 8E-6               
5 k+ Z4 b/ d* g6 d+ TNE1   = 9E-5            TNF1   = 9.5E-5          TRB1   = 3E-5               
+ TIRB1  = 9E-4            TRM1   = 9.44068E-6      TRE1   = 5E-4               
+ TIKF1  = -3.5E-3         TVAF1  = -9E-4           TBR1   = -7E-4              
+ TBR2   = 9.5E-6          TNR1   = 9E-5            TNC1   = 1.50731E-3         
0 Y0 k  V7 {! z. E, H. p+ XTB    = 0               XTI    = 3               TRC1   = 0                  
. \; K- ]( M' S$ B' ^) {+ TIKR1  = -3.9E-3         EG     = 1.18            CJE    = 1.55101E-13        
2 h4 l/ a' X8 ]/ g" f6 [0 h+ VJE    = 1.23623         MJE    = 0.662557        FC     = 0.5               
+ CJC    = 3.131405E-14    VJC    = 0.552774        MJC    = 0.32993            
+ TLEVC  = 1               CTE    = 4.87874E-4      CTC    = 2.63294E-3         
3 c: `  v! P+ b' E7 c. e+ TVJE   = 2.16319E-3      TVJC   = 2.955E-3        TREF   = 25                 
+ SUBS   = 1               TLEV   = 0               )
& V2 @5 G# H7 c! `. l
# Q9 C% w: B! E0 `- A[ 本帖最後由 leaf1989 於 2009-7-10 12:27 AM 編輯 ]

shangyi

抱歉...我上面的標號用的不清楚...
因為以前BJT都只用在bandgap diode的使用上
正確標示應該是
; N" |4 {7 T3 }0 z8 jIc=Is*exp(Vbe/Vt)
+ M0 T# m6 d( C# QIc = collector current , Is = saturation current
怕我講的不清楚(功力不夠) 請詳看Smith bipolar章節
另外model 參數定義 可搜尋關鍵字
- d/ U% u  W5 |: X8 J) R! D+ f9 ]"hspice elements and device models manual "
有文件可下載 或上mosis找找
/ l( Z3 P7 f7 X& B! J而lx0(node) 為Vbe, lx1(node)為vbc, lx2為Ic  lx3為Ib
" H- R, ~- P% U& `( B- [lv2為initial condition Vbe  lv3為initial condition Vce
想知道其他 lx lv 參數定義 可搜尋關鍵字 "hspice manual"
7 p4 k- w$ }/ z  U. M) W+ [' i下載官方release 的文件(只是是舊版的)

leaf1989

我已經解決以上的問題了，謝謝大大。