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中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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1#
發表於 2009-7-2 13:39:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響9 T, p& i# Y5 x; z# I5 I
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性: S1 L9 [$ O: c: H& B
. d/ x% G2 J2 }" e
一、前言: w& G  a5 L! n
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
3 j8 e/ U/ z% U/ @! y2 a6 Y8 M* D三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理; p4 ]# h) D$ S* U" g3 I( s
四、實驗結果與分析推論# V6 W  y$ i1 |! R% A: w) P4 _' S
五、結論- r. Q3 }# ~; \$ U

) ~* i( f" ]- l1 Q- l
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2#
發表於 2015-5-10 15:41:52 | 只看該作者
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
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sbm81tw
3#
發表於 2018-11-28 16:16:09 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享使我們得以成長！
$ P9 O  A- [4 @% I0 ]$ t& R  q8 P# R8 B6 A: U+ _$ {* J7 |9 G
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4#
發表於 2019-1-26 20:56:41 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
. k2 w7 u% u9 ~2 B' e
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5#
發表於 2019-3-13 19:04:46 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享，您使我們得以成長！~
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sslin
6#
發表於 2021-6-7 10:28:59 | 只看該作者
2 t, [! F) c$ w5 i+ P
謝謝大大分享，4 p! u6 l7 S) |) m

/ A: x, e6 b4 M( e- E深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響5 w. o: a" X- S! a! B. J1 |9 S; j! u, u2 w
( l5 u: h; A0 Y  ~
先下載 看看0 P4 l' V5 r) `2 G0 F
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myokd
7#
發表於 2022-11-24 00:28:21 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
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