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中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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發表於 2009-7-2 13:39:33 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
# X( P/ o$ A9 q0 d4 _---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
" y; f% X4 v. K' y  r/ K; I! M. }: h  G" R7 L
一、前言# D7 c1 n0 e" O1 S
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
- z! X0 q' P9 J) G$ h+ V# u三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
" }# ^! W" i! a8 j四、實驗結果與分析推論. E& Q8 `/ t6 b& i$ l
五、結論
/ _$ Q, o6 O9 j: T4 w+ q; F) i/ k7 J& u5 @& y
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發表於 2015-5-10 15:41:52 | 顯示全部樓層
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
發表於 2018-11-28 16:16:09 | 顯示全部樓層
感謝樓主用心的分享使我們得以成長!) Q2 K+ j4 `, ~2 f/ W9 v6 O

4 f) Q& I. T" Q3 g" o
發表於 2019-1-26 20:56:41 | 顯示全部樓層
謝謝大大分享,最近正好需要相關資料) D  i2 {, a# d0 F
發表於 2019-3-13 19:04:46 | 顯示全部樓層
感謝樓主用心的分享,您使我們得以成長!~
發表於 2021-6-7 10:28:59 | 顯示全部樓層

: L% ^+ f& Z& Y- A: u! Y$ ?謝謝大大分享,9 v1 A. b; N" a$ T" L/ ]- E' l- {

+ l" `" n6 s9 k/ P& `8 D深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
. L! y* h" t" W) F# ^3 \/ d! S, A
+ ^- g7 ]5 A1 c5 j& i/ {先下載 看看, S- n9 k2 w% Z/ ]4 L8 F. V
發表於 2022-11-24 00:28:21 | 顯示全部樓層
謝謝大大分享,最近正好需要相關資料
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