中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
- `. c7 ^# g3 o% x& j5 n---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性

一、前言
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
! }. J" @- z0 _6 ?' b1 Y三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
* n1 l5 X5 N- e4 x: r* _3 {" u四、實驗結果與分析推論
, I) U( ~+ D9 ~4 u' G/ W- D五、結論

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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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balam2018

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myokd

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