請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
" }- T% O% X2 }) F5 x0 f' L使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

6 O) N" [$ W) c# v0 h因為先前看過幾位畢業學長的layout
3 u2 o) R7 E8 R0 L# V0 g, ^! a他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
0 \) V7 S6 M* B& C( F) ^+ c如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
. f' [# c% [! j0 J& K) y- l因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
1 m7 M, F. t6 c8 a. q. v但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
而是另外一個VDD比較好
. p' d& [" M7 ~2 U( X+ o
謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
- T! c% n0 F# H) Jdeep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。