請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

8 ^; g# j( L( l, S6 ]因為先前看過幾位畢業學長的layout
; s. ], U# ~! f, [他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
% z9 q& h& W7 T8 ~) r% g6 [如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
9 {, j7 G0 _; `! m但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
2 c2 _4 z/ a. L! |而是另外一個VDD比較好

謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
deep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。
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