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[問題求助] MOS的gate能承受多大的電壓?

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1#
發表於 2009-6-22 23:59:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在multi-power的系統中* T2 V+ G" x' G6 v
在各個不同電壓準位變化時
; ]: \# m) \- F- S, o如果遇到高轉低(ex: 5->3.3)
8 h2 r& ~) _6 F' c) k- t" c: K7 W9 C7 A如何得知這個3.3V的device是否會被5V電壓擊穿gate?
+ H# T; z; T7 T( W: A- Q; {謝謝
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2#
發表於 2009-6-24 16:21:59 | 只看該作者
應該不會被擊穿,但會有life time 的問題(3.3v崩潰電壓大約6V以)
3#
發表於 2009-6-24 17:41:28 | 只看該作者
你必須要詳讀data sheet,裡面會有寫明, 不同的mos會有不同的最大值, 有些雖然是小信號mos但是耐電壓比一般mos大, 不能同理而論
4#
發表於 2009-6-24 18:24:32 | 只看該作者
最好不要!万一5V有个波动,到了5.5V,那么Breakdown很有可能
5#
發表於 2009-6-25 11:40:47 | 只看該作者
這種Overdrive的操作很多人用
' ]7 ]; R& a9 h" T# r) s: U如果您對device不是很了解, 就不要用吧
6#
發表於 2009-7-3 16:08:51 | 只看該作者
仔细读data sheet,裡面會有寫明。
7#
發表於 2009-7-8 00:00:11 | 只看該作者
MOS管好像耐压比较高吧,晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏,很久没看了,记得不清楚了
8#
發表於 2009-7-8 00:00:20 | 只看該作者
MOS管好像耐压比较高吧,晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏,很久没看了,记得不清楚了
9#
發表於 2009-7-8 14:32:28 | 只看該作者
最好不要這樣冒險。。。。。但我公司有人喜歡冒險。比如是5V的 VGS,他卻用到了8V。。。。
10#
發表於 2009-7-9 08:58:26 | 只看該作者
原帖由 yjcruz 於 2009-7-8 12:00 AM 發表
: y/ p/ H! L' N9 U' r3 k/ v: I  R7 gMOS管好像耐压比较高吧,晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏,很久没看了,记得不清楚了
; t+ p( G' q: u. R
哈哈哈。30V,不是bipolar!!!
11#
發表於 2009-7-9 08:59:26 | 只看該作者
3.3V的确实在5.5~6V左右就是容易击穿的区域了,至少不能长时间稳定工作!
12#
發表於 2009-7-9 08:59:50 | 只看該作者
5V的一般可以到8V,但是也不安全!
13#
發表於 2009-7-15 10:04:38 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2009-7-9 08:59 AM 發表
, j8 v8 e5 K! s& M5V的一般可以到8V,但是也不安全!
7 C+ N" B6 ]2 x
請問semico_ljj兄,您說的“不安全”是否是說使用一段時間後會壞掉(也就是使用壽命有限),還是管子出廠能達到8V的良率低?謝謝!
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