高性能的可攜式應用ESD保護方案

heavy91

隨著手機等可攜式設備中具備更多的功能，能讓靜電放電(ESD)電壓進入的潛在輸入輸出(I/O)通道愈來愈多，包括鍵盤、按鍵、SIM卡、電池充電、USB介面、FM天線、LCD螢幕、耳機插孔等眾多位置都需要ESD保護。根據電容及數據率的不同，可攜式設備的ESD保護應用領域可分為大功率、高速和極高速等三個類型，其電容分別為大於30 pF、介於1至30 pF之間和小於1 pF，參見表1。由此表中可見，速度越高的應用要求的電容也越低，這是因為高速應用中更需要維持訊號完整性及降低插入損耗。

5 F$ Z+ R: E: c- g' Y9 b; l- }
3 s  v: p) w9 T% U5 T! a7 {表1：可攜式設備ESD保護應用分類及典型保護產品(其中紅色字體為領先產品)。
, `  Z3 F& ^1 T
可攜式設備最有效的ESD保護方法
% q3 p2 H8 y) f; w從保護方法來看，一種可能的選擇是晶片內建ESD保護，但日趨縮小的CMOS晶片已經越來越不足以承受內部2 kV等級ESD保護所需要的面積，故真正有效的ESD保護不能完全整合到CMOS晶片之中。另外，雖然通過在物理電路設計及軟體設計方面下功夫，可以發揮一些作用，但總有部份重要電路較為敏感，很難與外部隔離，故最有效的ESD保護方法還是在可攜式設備的連接器或端口處放置保護元件，將極高的ESD電壓鉗位至較低的電壓，以確保電壓不會超過IC內氧化物的擊穿電壓，保護敏感IC。
8 O7 t0 X/ h8 u! ?# ^
+ ?* D, O, n% M/ w7 o/ B在正常工作條件下，外部ESD保護元件應該保持在非動作狀態，同時不會對電子系統的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及低電容值來達成。而在ESD應力衝擊或者說大電流衝擊條件下，ESD保護元件的第一個要求就是必須能夠正常工作，要有夠低的電阻以便能夠限制受保護點的電壓；其次，必須能夠快速動作，這樣才能使上升時間低於納秒的ESD衝擊上升時間。
) b" x) k) p& l6 J4 G6 ]
外部保護元件比較及其性能測試
, R8 o. N/ Y" a; {常見的外部保護元件有壓敏電阻、聚合物和矽瞬態電壓抑制器(TVS)等，它們所採用的材料分別是金屬氧化物、帶導電粒子的聚合物和矽。壓敏電阻在低電壓時，呈現出高電阻，而在較高電壓時電阻會下降。帶導電粒子的聚合物在正常電壓下電阻相當高，但遭受ESD應力時，導電粒子間的小間隙會成為突波音隙陣列，從而帶來低電阻路徑。TVS則為採用標準與齊納二極體特性設計的矽晶片元件。TVS元件主要針對能夠以低動態電阻承載大電流的要求進行最佳化，由於TVS元件通常採用IC方式生產，因此我們可以看到各種各樣的單向、雙向及以陣列方式排列的單晶片產品。
6 z; B2 [+ _5 n' H

在這幾種外部保護元件中，TVS元件的大電流導電率極佳，且在重複應力條件下仍能維持優異性能，壓敏電阻或聚合物等其他保護元件使用增多後會出現性能下降的問題並不存在，而且新的ESD元件具有極低的電容，非常適合高速數據線路的ESD保護。而越是高速的應用，越是要求ESD保護元件具有更低的電容及更低的鉗位電壓。
' w& a& }- n* z# d. l' Q
圖1：安森美半導體整合矽ESD保護元件擁有比競爭元件更優異的鉗位電壓性能。

/ r/ H$ `6 T1 Z  M$ a2 b7 t7 U電子系統必須能夠在IEC 61000-4-2標準測試條件下存續。為了對上述幾種外部ESD保護元件進行更加直接的比較，對壓敏電阻、聚合物、安森美半導體矽保護元件及性能最接近的矽競爭元件，首先施以IEC 61000-4-2 ±8 kV ESD接觸放電脈衝，並通過示波器截取其ESD鉗位電壓波形進行比較，可以發現安森美半導體的矽ESD保護元件擁有低很多的鉗位電壓，不僅優於壓敏電阻和聚合物等無源元件，更優於性能最接近的矽競爭元件，參見圖1 。
8 z+ |1 o( O  L6 k; j! @
此外，可攜式設備可能遭受多次的ESD電壓應力，這在臺灣冬季表現得尤為明顯。因為，外部保護元件在多種ESD應力條件的性能尤為重要，直接決定著可攜式產品的可靠性。因此，同樣可以對壓敏電阻、聚合物和矽ESD二極體等保護元件在Tesec直流測試條件下測試，每顆元件都施以總計2,000次的15 kV接觸放電ESD脈衝(正向及負向各1,000次)，每兩次脈衝的時間間隔為0.1秒。表2所示的測試結果顯示，安森美半導體的矽整合ESD保護元件在多重應力條件下仍然維持極佳的性能，而競爭元件不是損壞便是性能退化較嚴重。

5 o+ |) y6 n9 V( {- S- v
9 B1 s) |& u% }) H" \( S9 l& U* j表2：Tesec直流測試條件下不同ESD外部保護元件在多重應力後的性能比較。
% a$ A" Y1 ~  ]! _9 _% E/ ^3 N

遊客，如果您要查看本帖隱藏內容請回復

而在圖2 b)的應用中，需要以電容小於1 pF、小封裝的元件保護2條極高速數據線路及1條大功率線路(Vbus)。針對這樣的保護需求，同樣既可以採用離散保護方案，如使用2顆ESD9L加1顆ESD9X、1顆ESD7L加1顆ESD9X或
1顆ESD11L加1顆ESD9X，也可以使用整合保護方案，如1顆NUP2114UP或1顆NUP4114UP(保護2個USB端口)。

總結：
' h* q4 U3 q% d9 K手機、數位相機等可攜式產品中的眾多位置可能遭受ESD脈衝的影響並損壞其中特徵尺寸越來越小、越來越敏感的IC，進而影響系統的可靠性。最有效的ESD保護方法是在可攜式設備的連接器或端口處放置外部保護元件。測試表明，矽TVS二極體比聚合物和壓敏電阻等無源元件的鉗位性能更優異，而安森美半導體的矽保護元件更是優於性能最接近的競爭元件。安森美半導體身為全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商，為可攜式設備的大功率、高速和極高速應用領域提供豐富的高性能矽保護元件系列，其中不少都是當今業界的領先產品。這些領先產品以極小的封裝提供極低的電容和極低鉗位電壓，非常適合保護USB 2.0高速及HDMI等極高速應用。同時，客戶得益於安森美半導體豐富的矽保護元件系列，能夠為其USB 2.0高速等應用靈活地選擇及搭配安森美半導體的矽保護元件，滿足他們的不同應用需求。
4 E0 L' C; [& m. e# q$ Q
$ h$ @  {! u( R9 Z: L9 J; s供稿：安森美半導體
9 V% h( }9 T. L) z
( R8 W! M1 ~3 |  V) b2 V: O[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-6-19 01:55 PM 編輯 ]

TURTLE

手攜式的產品由於電源的地都恨小, ESD是真的很難保護, 謝謝分享!