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[問題求助] 通過大電流的MOS的畫法

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fengxing9999

電梯直達

1^#

發表於 2009-6-10 10:50:37 | 只看該作者回帖獎勵

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各位，通過大電流的功率級MOS的layout該如何處理呢?（350mA上下）

哪位有類似的layout可以參考嗎？

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scy8080

2^#

發表於 2009-6-10 15:35:30 | 只看該作者

同问功率管的layout?功率管采用何种版图？waffle or bent-gate? bent-gate版图怎么画？

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lin.weite

3^#

發表於 2009-6-10 23:46:07 | 只看該作者

Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
Metal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

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fengxing9999

4^#

樓主| 發表於 2009-6-11 11:08:26 | 只看該作者

原帖由 lin.weite 於 2009-6-10 11:46 PM 發表 ) `( f8 _9 Y2 n
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
8 U1 \* c, M! ]$ BMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
+ d) e. `* v+ O' ^. S如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

這部分也了解一些，我主要的問題是MOS的結構，

查文章很多功率級的MOS都有什么網格柵，蛇形柵等畫法，這些都是怎么畫的啊？

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sheu

5^#

發表於 2009-6-12 09:00:43 | 只看該作者

大MOS分成多個小MOS, 並聯方式(multi-finger)連接,
注意電流大小, 寄生電阻, Layout力求對稱.

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愛情玉手

6^#

發表於 2009-6-12 10:10:14 | 只看該作者

到底是對稱比較重要?
還是面積比較重要?
或是電氣特性重要?
還是看RD比較重要????????

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garyinhk

7^#

發表於 2009-6-15 15:52:36 | 只看該作者

同問，我也想知道bent-gate和waffle是怎樣的構圖~

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daidai

8^#

發表於 2009-6-17 12:42:40 | 只看該作者

Waffle layout reference

"High Performance Low-Voltage Power MOSFETs with Hybrid Waffle Layout Structure in a 0.25μ Standard CMOS Process"
Yoo, A.; Chang, M.; Trescases, O.; Wai Tung Ng
Power Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International Symposium on
Date: 18-22 May 2008, Pages: 95 - 98

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