谢谢上面两位,现在初步判断是因为我的IO只对GND做了GGNMOS,所以在从IO向VDD打的时候,ESD电流虽然没有损坏GGNMOS,但在VDD和GND之间ESD保护器件起作用之前,已经把芯片某些VDD与GND形成的反偏二极管击穿了,所以再接下来GND-VDD的测试就肯定失效了,但这个失效不是由GND-VDD之间的ESD失效导致的,而是之前IO造成的。0 \4 d5 H4 d3 s' f7 C- V, Y) p
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大家觉得我这个分析的对么?