討論基本電流鏡的佈局方式

gyamwoo

各位好，最近在作layout，尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
$ C9 }+ i$ x+ u, A2 x那基本電流鏡的電路是如下圖這樣：

* {9 b0 ]" }1 ?" o假設M1:M2=2:4
' Z# H/ F; y5 O+ l9 i而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的：


但是我個人不會這樣子lay
  K" t$ w$ c5 C. Y, t  l4 X4 S因為M1跟M2有相同的VSS，而POLY是弄成指狀的，如(B)：

. R6 V; Y( |( g( \! ~! F% [0 u不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay，N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
可以以中心對稱。

但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間，沒有均勻散佈也不行，那我改這(D)
+ K4 i6 {0 q4 j; D這樣的，但是M1的接線就有問題了。

同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣：

/ {# q( Z+ E2 {他說重點是在POLY的對稱性，說什麼gm值的比例會跑掉，這個我完全不懂。
; Y( k/ O0 r) [/ ~+ m不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎？請高手解釋一下。
$ v8 n# J0 K6 n; T! u0 [$ v9 P針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。

7 D3 z) \& B( D
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
( s4 @3 ]0 z, x* W0 ?他說對稱之外還要要求均勻分佈，但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢？
3 U4 ]' Z" D" P/ d我的原案是
, b# O0 a  K2 iM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2，用(C)的方式LAY
* _% ~, _: l5 d# E. Z因為M1 M2的FINGER數量太少，真要用(E)的方式的話。
我考慮是
/ Q" R1 H5 }5 E5 u+ h3 l$ i' g2 fM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
有人有比較好的建議嗎？

gyamwoo

我再重貼一遍
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各位好，最近在作layout，尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
, n- w. ~; M2 ^, {7 S那基本電流鏡的電路是如下圖這樣：

假設M1:M2=2:4
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的：
! P- A& I5 i! T8 W% F/ x) |

但是我個人不會這樣子lay
% [' [  t" s* U% f/ b5 I% \因為M1跟M2有相同的VSS，而POLY是弄成指狀的，如(B)：

. Y7 R0 w: z; s: A- {4 D不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay，N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
可以以中心對稱。
# ?' p# |! L. z0 T
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間，沒有均勻散佈也不行，那我改這(D)
9 p1 }5 ?1 f# j" m" x4 w! }這樣的，但是M1的接線就有問題了。

! G& r& A+ b- f* ?同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
7 v4 E7 p7 {* D) P% _9 K1 t0 @! NMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣：

他說重點是在POLY的對稱性，說什麼gm值的比例會跑掉，這個我完全不懂。
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎？請高手解釋一下。
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。

8 z) L0 A# K6 j- w
' C) y& Z' A! l" h! U0 M/ |6 _7 I" @以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
他說對稱之外還要要求均勻分佈，但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
9 S7 r5 [7 R6 U' R# s, p4 v$ T(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢？
* L+ n% F% @/ z" |" d" w# N我的原案是
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2，用(C)的方式LAY
因為M1 M2的FINGER數量太少，真要用(E)的方式的話。
0 G1 k; h+ [9 `4 }3 c我考慮是
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
有人有比較好的建議嗎？

gyamwoo

C跟E的電流方向不一樣導致的影響，學姊說POSIM模擬不出來。
6 a: f) w7 V$ s3 R8 ~. z但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。