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C方式在萃取RC時,共用S D的部份
# h4 C* E6 c5 n7 u3 e8 |它會除二,平均分給兩顆各一半一半$ d u( y) b# I' l. `
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小! H) B5 ^1 ]/ _( E
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在2 i4 }% `4 H; C$ L9 u
做速度較快的電路時,差異更明顯,
/ [0 |+ P5 @, d4 M0 M. X. t9 |" {E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生' O/ H. }& H/ Y. `( o8 b; m
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大& P* ~+ ^1 Y& W# ]# L5 x
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同! `5 |; x7 g1 a# l+ T2 ~/ s
而變慢,
6 f# o, j( ]- w) C( `所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重+ ?/ y3 Y: o) w
match要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該 b! z+ r! X+ T. c3 E1 S6 q
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是6 t4 b$ J3 {9 s8 m3 \$ L7 F. A
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |
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