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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。: e+ I; T* ]" M) J- @
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:& e0 z$ Y5 \1 y/ v* r# e

7 T+ }1 {; m, H8 Q假設M1:M2=2:4! j5 c3 R  o0 ?( U& M
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
2 E+ s. i' B' {% j1 k. y' G$ Z. X% k, D) ^, h8 ]
# X- s8 x% y" W1 S( H
但是我個人不會這樣子lay
) ^. [0 u% `* w  |9 Y1 X8 _2 b因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
7 D: t7 y$ o& a' R, ]0 {7 g- o* v  V0 a; b( P
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
6 H! o6 b: G4 M6 b( L& ^; H5 m1 \可以以中心對稱。
0 m" ~7 K# G) O# |2 Y  a  s/ l8 t1 W
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
2 Q; H$ u' d" \, w' N這樣的,但是M1的接線就有問題了。
8 H, a; y! ?2 g) s  q2 Y: V/ {$ d
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
9 P! G; @. d1 d0 v. C, M, tMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
/ Z) {+ |( U5 g% _3 g5 O' I
# `; l" {7 ~1 C. D3 L. e# B6 v他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。 8 R4 k) ^+ S1 z. e8 W* W
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
$ Q; Y; g6 [- B4 Q+ B$ _& Y6 n  Y! J+ B, o針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
6 Y3 L' R8 I9 x4 T( ]8 O
& A( C0 h( O, ~# g/ H$ g
2 K' {( G2 x) f2 F7 G; i3 C以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
' G" L1 l  o3 h4 _他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
6 u) T5 M( p( X* [(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?0 \/ q1 Q/ B: L& r
我的原案是
& u1 v% y# w1 ]/ ]( G/ eM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY5 K) r2 J! Z, m  R1 z1 @
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。' o5 b  m5 [$ ~4 ?' Y/ r  Q0 T+ d  C, o
我考慮是
% y. c/ c  M  ^4 z$ VM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
4 d" v# O9 L+ c) u! f9 {有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~) n+ _# v% H- D) s# X( a/ ~
要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
4 [- C: X$ O' m4 P* r*********************************************************************************) Q0 o+ K4 k3 C
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
( E- n2 u2 n" ^+ v& n7 ?9 @那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:8 y( o/ A4 b4 a" U6 ^- ^
6 ~% X- L/ e) l- ?
假設M1:M2=2:4
: i& Y: J  d0 S5 h: g! o而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
/ G0 i& y, X' g) I) k6 w
6 Z' c- E+ ?: t4 M8 \8 B' `  x. j% R8 j. i! w% C( F9 l7 _/ L! }4 O
但是我個人不會這樣子lay0 y0 D8 e- N) w. r) @, k+ L5 n
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
9 e$ Y& X+ J" A5 M3 _8 k
/ ^! @+ G. F9 A0 A不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
4 r2 s0 v* W. G  e& O可以以中心對稱。' f. S) M- n  B% D' c

' x: e2 \4 A# M5 a* A+ k0 j: ]但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)- K  M3 `, y) y1 C: @  j) u
這樣的,但是M1的接線就有問題了。- C" _8 A" l8 ?6 p" \

8 m' W3 C/ t6 M2 `5 \同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
" {0 @  B" c* P* {) `. AMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
) V3 A1 j: D; W, b
! Q) S  y! F% |$ H& Y; m他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。. k3 I; |6 H' I4 I
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
# m% s+ p; \) \+ w6 S# U7 I針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。6 M# |6 W/ I- K- B

% L- z+ @! C% e. G: X# W
/ P9 e* i) c$ {) I& K& b2 o以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
5 i. w- S# o% ~7 q0 P他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
8 N8 s$ |$ n' Q6 s4 V(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?" l* H: C2 B$ o: H7 }5 U
我的原案是5 \% z1 _5 e" I
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
5 F) C; a9 h' I9 p, Q6 s  S7 s因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
( ^$ F; _) ]* ~6 B' B7 o我考慮是
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有人有比較好的建議嗎?

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。  P; P+ B) F/ Q$ ~$ z$ I+ x4 t
或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,6 N( C4 l8 ^% V8 v, i# F$ w
哪個誤差量最少,就使用哪一種。( }- |7 h% ^$ Q! F4 G- M0 r2 L# s
( W; |, R+ l2 ?! s2 T
[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可+ O# q3 |* v: @$ _$ S5 c. N
一般我會用C,不考慮面積E也行
/ N6 ?  @# E' {# Q+ f  T製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)/ y% B* o, z, P2 G
match是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。- f- a6 d: g1 R3 m! q" [
但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好# _: Z) l% Y! ?7 s& C/ ?

$ U: f' A2 _9 ]5 {可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好
* X* ?  E% j$ i& h; H1 O( O9 T0 T$ I' |
"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
' U  ^0 w1 e" ^* H) w2 j& x& F/ L! \. L
E的match效果 從製程方面去看 算是比較好
4 `0 q5 E. X: ]9 B
: w/ ^' |9 c8 c$ x: r不過 要用到2層M! v% ^/ B; b7 P" u5 A& s

2 p) Y" @9 r: }0 f是不建議 用POLY去做連線- Z' V1 ?9 O* n  O% Q% D

& g( e' |: e9 n4 ~就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                  $ ^) {  k4 O6 U3 F9 I
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份
# h4 C* E6 c5 n7 u3 e8 |它會除二,平均分給兩顆各一半一半$ d  u( y) b# I' l. `
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小! H) B5 ^1 ]/ _( E
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在2 i4 }% `4 H; C$ L9 u
做速度較快的電路時,差異更明顯,
/ [0 |+ P5 @, d4 M0 M. X. t9 |" {E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生' O/ H. }& H/ Y. `( o8 b; m
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大& P* ~+ ^1 Y& W# ]# L5 x
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同! `5 |; x7 g1 a# l+ T2 ~/ s
而變慢,
6 f# o, j( ]- w) C( `所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重+ ?/ y3 Y: o) w
match要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該  b! z+ r! X+ T. c3 E1 S6 q
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是6 t4 b$ J3 {9 s8 m3 \$ L7 F. A
問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
- L' Y9 ]1 j  k/ {- c在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………
3 B- V4 K% z& M0 s
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。- {" C8 s5 Y1 j6 P

5 N7 J6 i6 S" d. ]$ X+ k( p6 G$ O8 X/ K# n# G
5 g. |: D6 O+ M! p% J$ q# b
QQ?房器# S; ]5 C' B7 }1 h; R2 @
6 \; c+ ^2 `2 G% u4 S
李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@ 7 t! w0 @" g, N3 i* u
可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎 7 y& ]; o5 }! k/ R1 U
還是是我自己or 系統的問題
1 z; \0 `8 c& i9 I. z謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解
+ u8 T7 s7 {6 D0 l8 N只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM
* i/ S5 k' k( [3 F9 y我再重貼一遍/ e( X" `) q% p  P8 I/ u1 @" J3 C
*********************************************************************************- O% ?8 L7 Y0 h7 [+ m) [
各 ...
/ }: |+ V2 N1 o9 p4 U, t3 b
謝謝大大的圖文解說,受益良多
) ]( R( v& O1 c/ X. D
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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