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C方式在萃取RC時,共用S D的部份' G! O$ X7 \" t8 W+ N
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
2 |& h* V9 Z* w/ Z且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小; [) O! G$ f! {
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
& a8 I" R) ^8 I1 q6 C9 i+ F2 Q Y做速度較快的電路時,差異更明顯,
/ Q: {' b! [$ A' lE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
2 H4 _; N Q2 `; K+ O電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
; |# M- c: H4 x+ n8 W所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同1 x9 {" v6 y- {2 ^; W
而變慢,0 I. o; N& K( Q( ^8 \8 G
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重0 Z2 n1 r9 |! v7 b' J
match要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
% \6 {5 `( ^& b' p) c: q比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
; e2 K% M2 H4 z4 l6 L! m問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |
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