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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
9 M7 T- k; o9 N) u  y  X/ e那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
- g; p9 W/ I* p: ^
5 I" P9 j! u  z, d; j: s+ V假設M1:M2=2:4
6 E4 A, e) @: C5 N# z7 L. O而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:) p  l. J# l1 G  l9 K( ]" j1 V8 s0 y
) P3 Q' a: ?+ L. K

  }3 S5 n$ W2 `  N2 e& a但是我個人不會這樣子lay
( f/ d  p% @+ \  H因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
: l& ?7 L: t1 d+ N2 ?9 T; P1 b! A' ]0 C" N6 n' p/ Z
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
+ F: |8 `. X2 p" h% u- j! ^可以以中心對稱。
+ K  ?# U, j2 {& y/ o2 \' @8 `6 E( O* j5 g
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
% c! @2 i% b- j5 t- D0 E/ N6 o這樣的,但是M1的接線就有問題了。: O* r4 N( V2 e+ X' x1 S
: o% Q) P1 Z( M) }
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
0 p  B4 p' p) @" N. bMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
" l- i; b: I6 n; O- s: [8 s/ {- ~0 U9 A' L3 l6 j) W
他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
0 \5 [) r1 k5 |: q, h; z不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。4 r+ L) K) O: Q; ]
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。& I1 X8 ~6 o3 B5 ^; f3 U, S

: `' I0 R! |- e# O5 e
4 r; d5 J6 N8 d: I5 o2 R' F  I以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。7 i' Q1 }- i! x2 r% \+ z8 `) R( c- c
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12$ P. Y6 @( M1 Z+ b, h
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?% v, X% d6 U$ z6 l* T: V5 o
我的原案是
- @7 O+ J  M* L+ i! c$ Y8 m  P( |M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
- T" r1 s( M- T  ^因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
, ~3 W/ J& }) r; R! W我考慮是1 Z7 P/ N7 n: Y/ [9 g& V
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*49 a' Q. x3 P" ]' R; O
有人有比較好的建議嗎?
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20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM
0 O6 z$ b! X& @: n) a我再重貼一遍) ~- x0 R* @7 o* k
*********************************************************************************
1 O# [, H, d' k- I; K8 V0 C8 M各 ...

, U9 |  d* v7 c謝謝大大的圖文解說,受益良多
& U3 U# {1 p7 i8 p
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解0 B3 f6 r# C4 x* j7 O
只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@ ! m* z; G5 Q5 C* u. d4 N1 k
可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎
, E" {. C  F. U" W1 t3 L還是是我自己or 系統的問題# H  B5 D+ w* p5 u0 `! o$ E
謝謝
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。/ j! y- Q: B  z( J6 `/ n& {

* p/ |/ J4 q! j4 W5 `
% t& s7 J2 x1 G$ i+ D2 l3 d- Z" e" a* W( [" ~- P
QQ?房器
9 F1 ]5 S  t: y# G0 B; p6 t5 d1 B# k: w
李??狂英?365句复?机外星版
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………2 ^' F( c4 b* b
11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!; a% ]6 N- O( P0 U2 S
在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份' G! O$ X7 \" t8 W+ N
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
2 |& h* V9 Z* w/ Z且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小; [) O! G$ f! {
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
& a8 I" R) ^8 I1 q6 C9 i+ F2 Q  Y做速度較快的電路時,差異更明顯,
/ Q: {' b! [$ A' lE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
2 H4 _; N  Q2 `; K+ O電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
; |# M- c: H4 x+ n8 W所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同1 x9 {" v6 y- {2 ^; W
而變慢,0 I. o; N& K( Q( ^8 \8 G
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重0 Z2 n1 r9 |! v7 b' J
match要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
% \6 {5 `( ^& b' p) c: q比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
; e2 K% M2 H4 z4 l6 L! m問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                 
+ {; f" y* e9 ]% m! |, ^0 u
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好
: \; h; f# ~- K0 m/ G+ N) a- Z% r3 S- J" ^1 G& C4 M
"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
6 j) w! b+ Z" `6 F" K% i6 J4 F& t7 C& r' O" H& h) J
E的match效果 從製程方面去看 算是比較好
! t5 N! I2 R5 l" T0 Z# O7 W
: g0 f" R# p3 T+ Q( F不過 要用到2層M! F4 w6 [$ L" Y3 _3 `
9 b+ J! l3 G& {
是不建議 用POLY去做連線
# Z5 Y" Y' x' q: C* r; c0 y9 k- F
就算連接起來 最好 多打CONT
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好! p% P) f$ B" L% x2 G* T

! b% S: W9 o, ?% T! b可是為什麼大家都選C
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
" e4 |$ C; Y% ?; B/ o" t1 |, R但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
3 q% @5 G, [5 ]! s" h一般我會用C,不考慮面積E也行. S0 M' X8 A" Z" d( t
製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)
3 T6 H9 m. m9 K0 `3 l* `5 Xmatch是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。
$ o0 Q: S/ W+ k' s4 U- L2 t或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
% s' @# t& |0 x0 N哪個誤差量最少,就使用哪一種。
: o+ y# s$ F% h% ?! x6 v5 k7 {  n6 e
[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
7 |0 M5 V& {! X; l* f/ t*********************************************************************************' X' d+ ?- H4 S. k* o2 a
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。" I& e1 b+ a6 n5 j! _& x4 l
那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
% P6 z2 }8 A- ^. L1 G, l9 _5 K4 D6 j6 P
假設M1:M2=2:4$ t( F9 V1 k+ Q8 y0 p7 _. N+ A, r
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
4 y! s( o: h- o3 V1 o* g
4 D( ~( g; x( h% `% t4 _' I# H9 T- v
$ h' m5 {( p4 D% T但是我個人不會這樣子lay' K: i7 X. c. B9 T9 b
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
" u  y- d8 j9 p( y- y, N9 w7 u3 i9 a
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
$ h, `) i, H& C; Z$ T9 J可以以中心對稱。$ s* V9 A. Y2 _7 }# O; W

' h' y6 K3 A+ I但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)" r: @4 q# l2 q* I+ L% j
這樣的,但是M1的接線就有問題了。0 h0 f3 T) A! W  [* A% |+ Q
8 X% `& O+ e: I. d7 q
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的4 C$ ~0 k* |) Q
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
( w( j( j! ]9 J- V( k( Z( s
; K  ?5 v1 H7 ]) D7 w2 H他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
; Z. i; H! l+ F. `不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。. I& }0 ], p* P% F0 \) r. w4 ^+ `  J
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。  t5 ?! c# T$ F5 o8 `2 }
8 x! ?2 Q1 J* C( }" L# A
, ]2 S* O; ?5 @0 B7 g7 B0 X7 E
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。( s) z% q4 L) z
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12& N- [( S! ?9 q  U4 n+ ^
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?+ S( g( e" K$ k1 K
我的原案是0 ~5 M. u" ^, U; a2 h
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY
2 `) `2 F- P3 i* C5 S因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。+ p7 {% \  h2 K/ L# Z3 c( A
我考慮是, S% ^- e1 `( F% M
M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4/ @% Z7 ^9 P. K) z7 Y
有人有比較好的建議嗎?

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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~5 {& I9 Q  ?% @( x$ r
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