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[問題求助] 關於電阻的設計

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1#
發表於 2009-5-22 12:17:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在CMOS製程中
, U+ G; h0 T; J6 M9 q- v大致上可以知道說阻值等於sheet resistance*(L/W); ^' F; j4 J( o( O8 {" Q+ W
不過我有個問題就是L跟W值的選取
$ T1 Q6 b  i+ Q! I+ ~4 A假設我要讓L/W=25 i/ M1 ~! n' q: l& L7 B8 ~  K
我可以有很多種選擇 像是2u/1u 4u/2u ...等
+ C$ K& w) q! f2 m. S那請問一下這幾種選擇除了雜散電容造成的影響之外
# q3 }2 p1 m8 R7 l4 a2 {還會有什麼影響
4 L9 s* W% T4 N# X謝謝指教
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2#
發表於 2009-5-22 15:30:16 | 只看該作者
Dear squirrel316,
9 Y& I0 U" M/ ~, @* e2 XBasicly, the W should big enought and has a low bond(usually 2u for above 0.35um).
, C* Z) M. h* r6 Q4 ~If you using too small scale like 1um, the accuracy will be very poor.0 I* B' L. e+ |5 u& m) _
And it should be considered the eatch value.
9 A6 ~5 v7 q8 ?& C' J& g0 KAs a reference, the foundry resistor test key, was measured by 10u/10u or larger.
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