|
|
刚刚图片不能显示,现在重发一下,图片在附件里.在下最近正在徬真一個一個低壓低功耗基準電壓源，如下圖所示7 M/ ]$ V @2 N' z4 \& X& b
, u8 y0 u/ T- x6 Y' ^! {
) r" Q# V7 Q( N: b9 R# S
其中M1 M3是高Vth管子，工作在亞閾值區，其他管子均工作在飽和區。現在的問題是，電源電壓穩定性（LNR）很差，前仿结果在电源电压从0.8V∼2V变化时，输出Vref变化10mV左右，而论文的测试结果是，Vref在0.9V∼4V的电源电压范围内变化6mV。
f+ f! g# `" r8 e" M我所有的管子在我关注的范围内（電源電壓0.8V∼2V）都是工作在饱和区的（有两个必须在亚阈值区，但Vds均保证大于4×VT），我所有的管子的L均取10um，除了希望降低Vth之外也希望降低宽长比减小电流。有些管子的宽我取了250nm，也是为了降低vth和宽长比，这样就有了W/L＝250n/10u这样的倒比管，不知道有没什么问题。。。。另外，由于我的电流取得很小（两个支路是26nA左右），不知道leakage的影响是不是很大？似乎前徬真的時候看不齣有漏電流。下面是我所有管子的参数，这个基准电压源结构是全MOS管实现的，无电阻无电容无BJT，总电流论文上做到了室温下40nA。我用的是chrt0.18的工艺，1 R9 R* G" L8 w* r- ~
M1:id=26.7nA W/L=10um/10um vth=497mv5 K( P' Y1 Q/ O) Z) K
M2:id=100nA W/L=1.145um/10um vth=336mv
0 D; \) a) p6 jM3:id=26.7nA W/L=2.85um/10um vth=487mv. r% ?. _1 n9 {9 [# [: X, P4 A4 z
M4:id=100nA W/L=220nm/10um vth=245mv* P4 Y( i4 {4 v8 W5 s7 Z0 F! ^/ n. }
M5:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv3 e' r8 {- H2 b, ?
M6:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv& R) ]# j9 E' W6 |
M7:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
. | ~/ d A" s( W. G" OM8:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv% R0 b' P/ u6 H
M9:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv) R7 q! T% U8 u0 R/ V6 V% E* l5 _
M10:id=100nA W/L=4um/10um vth=321mv
, u# X, \ J( P! v0 H3 AVgs1,2=400mV Vgs3,4=450mV Vgs5,6=-400mV Vgs7,8,9=-350mV Vgs10=438mV
5 t Q4 ~" i2 ?4 n% @痲煩各位大大給點建議，怎樣纔能提高LNR。謝謝！# y+ u9 f: Q& `0 u$ ^
% I$ ^4 g( B* k) s% M" ~! A$ l1 Y7 }[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-12 11:29 AM 編輯 ] |
本帖子中包含更多資源
您需要 登錄 才可以下載或查看，沒有帳號？申請會員
x
|
IP卡
狗仔卡
發表於 2009-5-2 23:46:38
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
分享
頂
踩
分享
提升卡
置頂卡
沉默卡
喧囂卡
變色卡
搶沙發
千斤頂
顯身卡
樓主
没有人吗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。