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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.
$ [8 u2 q/ |& M# ]7 H  c' C2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。$ I. @* }: _" M/ j/ D, x9 A; `3 |
1 m$ m/ f- r* \. l* \$ e
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處
' t9 Q% `1 G* V. J& M可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
8 j% c* a+ L& E+ r1 K7 Y8 t使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
  |* r' g: A( b
$ @9 T) {( Y" s) B! QOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
  |" f6 Y5 q' r0 O0 @" S但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 3 o- M1 [0 K3 J' H6 P1 o6 h
1.DRC 檢查軟體運算時間++) K! D  V6 H  _$ S
2.RC Extraction 不準 運算時間+++
" K* l3 m) {# B& e& u3.P&R 時間 +++
# a' G$ C6 F; U9 _4.最重要的原因 製程良率 ----$ z8 G  m7 A; D5 G5 q% H
) M. I/ W3 t  |, _1 J0 }- G
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 04 P9 Y$ T0 \1 `. b
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
) _, \0 X7 ?; o/ s/ D所以 90度角 還是證明他的價值存在
: Z/ m  C' ~8 j$ r. E3 }7 T' v- Q7 T
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況& k! w4 [- o" ~5 I
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下1 S! O$ x  u) e6 t4 n
5 p: d2 K5 l0 f# O. \6 `
得到以下結論
7 c8 d  W1 C* S/ o: N0 T) J4 Y; w/ {7 ]- _5 M4 n: _, H: t* L+ c1 ?6 F5 |
目前的製程技術已經到哪邊了???' O# B7 n' m$ q+ J, R, G3 Z
你所需要的製程技術是否需要???
3 x9 c; @, p2 R" b1 k! PDESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
) f- X0 ?$ \* i  A/ ~, V" R; X1 g8 Y
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  8 s2 n. L4 K/ I9 y( v/ N) h$ [; A
) q+ I4 M4 @1 |  E( I  A8 c
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強1 t' g2 Q- }! {- h1 t
( n' o5 j, m: Z! Y" M# J
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
- E  Z& X5 Q7 k+ J7 v1 j, D
$ K# B5 {  @; t6 H重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的9 I9 D' z: F6 r* O, H( C
. U" |/ V/ Z/ o: f; W0 K3 X+ M
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下% ~7 G" A$ s3 R: P
又學到好多事物
# j( ~* }1 w( P' N8 e第一次知道layout可以90度以外  y! ^9 y, _' @5 H! @' Q2 Q
謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
8 i- ^8 ^( G; M  r. B" l; M* @我同學做SAR ADC因為速度慢5 P' ^% p, I" r  f# W" y
繞線其實有接到就好了6 A/ U, V! k- x8 Q7 a! I5 R
直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
" X$ |" I- H3 R, P" N' x做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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