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就這問題跟幾個朋友討論了一下1 S! O$ x u) e6 t4 n
5 p: d2 K5 l0 f# O. \6 `
得到以下結論
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目前的製程技術已經到哪邊了???' O# B7 n' m$ q+ J, R, G3 Z
你所需要的製程技術是否需要???
3 x9 c; @, p2 R" b1 k! PDESING rule 都會注明是否可以使用45度角使用
) f- X0 ?$ \* i A/ ~, V" R; X1 g8 Y
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了 8 s2 n. L4 K/ I9 y( v/ N) h$ [; A
) q+ I4 M4 @1 | E( I A8 c
我們可能拉一條線 FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強1 t' g2 Q- }! {- h1 t
( n' o5 j, m: Z! Y" M# J
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
- E Z& X5 Q7 k+ J7 v1 j, D
$ K# B5 { @; t6 H重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的9 I9 D' z: F6 r* O, H( C
. U" |/ V/ Z/ o: f; W0 K3 X+ M
如果對上述回覆有問題請多指教 謝謝 |
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