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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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1#
發表於 2009-4-28 22:58:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問各位前輩.
. r7 o8 V5 z# M; y: V3 M  t* tSRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
/ L! u% z( Q, Q2 M) o然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.6 `; c9 k- Y7 C1 ?) V4 }8 ]

. T, X& |3 ^" a+ u: L' b請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?4 G/ L* f/ T6 n( J7 _

4 W  `/ i( X1 Z5 T$ F; r3 A對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
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4#
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。
; }! T9 @) c5 r/ M" D1 }- K; W+ O  mregister file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
3#
發表於 2009-9-22 11:48:44 | 只看該作者
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕
0 f5 E. x# X1 v' ~4 O. B我用Faraday Memaker 產生4 B: m9 N# i6 u, ?+ h* j" a

- Y( Y# H. B( J8 jtwo-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]  l& b/ n! z2 D/ r( X9 S
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
0 f% z8 D, E% C$ T% i/ M
% e: @8 s3 O& v% {; n, u* M有錯請指正~
2#
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 只看該作者
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
! B- E1 W: H4 Q6 b0 D/ y我碰過的例子,也許是大部分的例子。
- Y1 C+ |" x$ d' y6 `) c' uone-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。9 f- o: a. N$ z2 M- C
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]) e5 {# ^0 T7 p$ @
two-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]' W; b" H' v2 a3 i5 q

+ y9 w, R6 \/ mSARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]- x8 l! M9 k+ N: E/ Z
普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大
+ W, y# u% S- ^9 s% ?" Y3 `可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。; [4 u, h7 y) _. n4 ^2 W. D

. n# m. ~% ~# g: V% o% yRegister-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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