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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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1#
發表於 2009-4-28 22:58:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問各位前輩.
# G9 Z5 N9 c; H0 C: ~SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
1 ^- x2 d" |& |9 G. q( B1 D/ O然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.8 U! {$ U8 p  @/ \( Q. K0 {
/ e" K6 g, o$ F- _& i5 s! ?2 T
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
( D! _1 E2 a) D0 \, N/ P4 n) X5 s' l  w. m
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
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2#
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 只看該作者
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
4 I4 W% |- j& l, u我碰過的例子,也許是大部分的例子。
" Z% l  ?8 a0 k$ j, z# F0 A* Hone-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。5 n1 k$ I! b( M. H
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
% ]# }+ _5 O5 m& D4 @4 ltwo-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
/ L- d& D- }+ m
# V. T" O, Z& }9 a; fSARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
# D+ ]5 Y& }" r2 V普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大% v1 a1 {' @) O( }+ h+ h9 ~
可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。) [1 ]9 s* n, A7 ^

* e0 n) F8 T# \; i4 @" TRegister-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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masonchung + 5 言之有物!

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3#
發表於 2009-9-22 11:48:44 | 只看該作者
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕0 Y( x; o" w$ `+ {8 z/ H
我用Faraday Memaker 產生" X0 A9 _5 O5 n

7 p6 ~6 b% d" s/ \# mtwo-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
' w7 [# ^  L# k$ M" Ldual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
4 T6 B6 p4 ^, L2 F. P; `7 @
/ W$ M+ }1 S8 W. X+ X, }有錯請指正~
4#
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。3 a  F% X" e6 @' l: c3 r' B! C
register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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