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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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1#
發表於 2009-4-28 22:58:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問各位前輩.
4 }, k; _  v3 C2 g$ q- I8 {) {SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種( d( z) x% U1 k$ X( \/ r
然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
4 u4 z2 v& n5 Q; c
; `: P0 d  q  e. b請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?. p5 e. Q. ]. _, e+ Q

% c* L7 Z& [; k7 P. |" z對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
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2#
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 只看該作者
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。) i. B8 _4 B- ]' I1 S* s
我碰過的例子,也許是大部分的例子。* }8 f3 U9 o) t3 k5 d( S# g
one-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。# [9 }1 S% k# ]. L
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
6 i: s/ j5 H5 t2 l+ [two-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]8 q5 _! ~. A0 ^. f$ Z! ^! I; H% n
' R- v1 ]1 {' D; A5 B, t" {
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
/ [* X6 r  G6 ~普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大# J( m' \: @1 |8 R
可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。- m( ^6 j4 z8 Z+ {6 t0 m, k/ y

0 I/ v; H4 u" a* ERegister-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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masonchung + 5 言之有物!

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3#
發表於 2009-9-22 11:48:44 | 只看該作者
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕5 `2 @/ @$ Z; a1 w! I7 a  \9 |
我用Faraday Memaker 產生
6 v/ @  z5 W. M+ f1 j" ]
  S8 Q& Y/ E# Ztwo-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]: K6 G4 U* R! a' V2 x  B: W/ P# X
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]6 ?% [6 `5 Z2 |1 H7 m) m2 w

/ ~3 n8 R) |: n1 }8 P0 v  v有錯請指正~
4#
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。0 z0 k- q* ]1 i# i1 C
register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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