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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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1#
發表於 2009-4-28 22:58:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問各位前輩.1 k6 V; D- u0 c1 \; o: K
SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
. y2 C3 J. O; ], L1 U7 A3 Q. k然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
" S! C+ g) C# |: M, {0 c4 a9 e: \( m8 W* X/ p! Y
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
8 h2 ~: k5 n. d. H% v8 ^7 h6 ]" `
0 o. s3 B) R' E4 A1 S對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
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2#
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 只看該作者
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
$ f  N1 M& Z$ _我碰過的例子,也許是大部分的例子。) |  R6 `1 Q* F' i1 J* }! m
one-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。
0 c$ f" n) X1 p- W/ ydual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
! A+ B3 v+ I5 Ytwo-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
, q- m, q& T1 g, A
. A% C$ I# J" C# S7 {$ m6 cSARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]4 M# }, Q8 O8 @
普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大
$ @* [4 S) j3 o- |可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。6 T0 x# i, O$ |0 O  ]0 q& b

" F$ O' P4 l2 [Register-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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masonchung + 5 言之有物!

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3#
發表於 2009-9-22 11:48:44 | 只看該作者
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕3 S! R# W( k$ \% F& u& h
我用Faraday Memaker 產生
) X% N9 `. v- W2 J$ A; z6 H* y
- ~3 l+ _- `! P( ?9 {two-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]$ n' U/ {7 Y1 g/ z9 l
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
" l* m& B! p4 @& b; D
4 _- l" Y/ l6 L# p: A有錯請指正~
4#
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。
; T3 W& B* g' O6 q& U: ?register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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