p+ poly電阻圍nwell的用意？

doc

請問前輩...
7 p+ H* q, B/ s. C0 W  C- d# X4 t+ z一般在layout上...p+ poly 電阻要求外面圍一圈nwell主要的用意是什麼？
+ o% Y7 V" L! i4 J3 x2 t# x應該是要隔絕noise吧？其原理是因為n-well較深...所以隔絕效果較好？

6 K- h) A' u5 C+ J1 W$ D外圍的nwell電位需接到哪裡？最高電位或讓他floating？
% e  ?3 l! Y2 F5 r& r) }3 s* p這兩種接法有什麼效果上的差異？

semico_ljj

确实是隔离noise效果好！
" k7 b& c7 }8 _6 ^* O* _* Q接高电位！

alai

一錠是接高電位嗎？接低電位也可以的，因為NWELL和sub之間有個PN junction。在zero bias的時候，仍然有deletion region ，也能有消除noise的作用。

alai

還有一種接法是接在res電位較高的一端，當然，這樣接會引入寄生電容。這個要結合電路來考慮。

babula

謝謝大大的問題,拜大大的問題,讓我又多吸收了些知識  thank you

woailaopochenni

终于知道这样做的原因了，拜楼主的问题。

semico_ljj

接低电位收集noise效果没有接高的好！

andyfan66

我想知道外面圍一圈NWELL

9 ]  c, O  K) N" q5 K是指外面圍一個中空的nwell，而里面圍著的PPOLY還是放在P-SUB上
: ~) m# g+ h5 b3 W5 `& ~8 X
還是指這個p-poly電阻是畫在nwell里面的？

trustrain

我猜...Nwell接低電位應該會有電位差問題，造成效果沒有接高電位好，
  j/ a. r* a9 `% _2 P0 {或是沒有效果...

skeepy

蓋整片的nwell，有時對特別的poly電阻會這樣劃，當然poly電容
: X+ V$ g( C# ]8 i; B: x也會，若接高電位的話當然也是接純淨的power。

ecalfs

建議接乾淨的高電位,一般是接analog power .......

alai

畫在NWELL�面，就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。

alai

原帖由 trustrain 於 2009-4-30 10:18 PM 發表
我猜...Nwell接低電位應該會有電位差問題，造成效果沒有接高電位好，
  n  W% A% w5 y; r7 G或是沒有效果...

兄弟：
" ?, S9 b' D0 K' F  d; b
* S! I3 s& K' u( ~沒有電位差的問題，因為metal和si的接觸電勢差和PN結的內建電勢差剛好相反大小相等而抵消。接地電位的方法沒有接高電位的好是因為depression宽度没有接高電位寬。

使得消除noise的能力變差。但是，接高電位需要安靜的電源，有時候這個並不是很方便能得到。

andyfan66

原帖由 alai 於 2009-5-5 09:28 AM 發表
! m  k( Z0 J( L9 g) o- A  m畫在NWELL�面，就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。

如果是劃在NWELL里面

哪我的看法是，雖然有隔離噪聲的因素在里面。但是更重要的因素，要去看FAB的layer generation file了，很多時候，由于不是所有的層次都是畫出來的，比如LDD是靠幾個drawing layer產生出來的。
5 Y* }. e0 s# j& Z5 M& S5 F) H所以畫在nwell里面的ppoly電阻和劃在襯底上面的pploy電阻的阻值很可能是不一樣的，這個和FAB有關，而這才有可能是制定這條規則，讓ppoly電阻一定要放在nwell里面的重要原因。
( @# B! V, n" ~6 T- k" a1 [+ {
5 m  V' g- Y3 F8 T/ y3 {& n) W  \1 @至于噪聲，如果不是高頻的應用，由于ppoly電阻是放在STI上面的，哪么厚的氧化層，那么小的電容，所耦合上來的噪聲，我認為和電阻本身的噪聲相比，是微不足道的。

chibijia

因为一般我们都用psub，为了实现电阻隔离，比如说隔离噪声什么的，用一个nwell，nwell还有一个作用就是在上面可以进行cmos器件制作！

winnie22

我也覺得是避免SUBSTRATE NOISE COUPLING的考量..

lightsun

又吸收到了一點知識
感謝各位大大的解說
$ }  i! }% B- @+ u; ^0 G0 x( q哈哈推推推推推推推推推推推

tuohong

发表下不同意见哈：
3 J; ]3 s+ Y6 O* {; O- F$ r
, Z$ F5 o  {6 @! `我认为应该接低电位，但是一定要从pad直接拉过来的低电位，就是因为高电位很难找到，如13楼所说。接高电位，弄不好隔离环变成干扰源啦……

lnxmj

隔离衬底噪声的作用，你图形中华的用中空的 nwell，个人认为没有什么意义。

IamJake

不知道这样做有没有作用，其实最好能做个版本对比验证一下！呵呵。