PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？

Behzad

各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。
! O( b4 ]7 _% c8 W9 x  B
6 C- ^  J- R; p% z9 j2 r5 p3 TPS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。
1 N6 Q1 C7 s) I: `
[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]

shaq

我想那是 Accumulation MOS(AMOS) 當 cap 用吧。
AMOS  就是 NMOS 作在 N-Well 中，電容值有較佳的線性度。
所以我想你大概是看到 MOS 外面圍的是 N-Well 就認為他是 PMOS 吧。  

事實上他是 AMOS, NMOS in N-Well.

Behzad

谢谢您的回复，不过我有看过layout，是Nwell上面又有P+,不太像是NMOS，依然谢谢您！

alab307

如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
- b- G4 n) |: n; Z- a3 J  a一樣有電容

至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
就小心一些, 也沒那麼容易啦

[ 本帖最後由 alab307 於 2009-4-17 06:59 PM 編輯 ]

qweri

c=k/Tox
: g. k3 t' D3 j- k+ h# w
用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?
4 l  p9 A$ H! C- U不知道為什麼特別選P來做?

Behzad

原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
此PMOS工作在accumulation區域
一樣有電容

, {: `5 y2 ^7 n2 V& w& V* P# x7 ~2 ~至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
3 Q7 \8 D4 v8 G; f# B就小心一些, 也沒那麼容易啦

8 h- Q. x. }2 O; G# l
我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。

Behzad

我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。

chinwei

不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??
$ B0 W: l0 y7 c) u; N/ `請各位賜教!!
8 X! J( l% v' a3 m5 \, A
PS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。

qweri

同樣一個公式c=k/Tox
1 Q$ T4 p9 }3 Z: |+ kaccumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低
# [% t! O3 }9 U' i: T可以看書中有圖

所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容
2 D7 \6 E1 b+ Z
" {/ S& o4 O" Z" U3 S. {! Gamos我不知道你說的是不是depletion mode的
就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉
: c" M5 C3 I( A3 j6 k我不知道這跟他的電容值有關嗎?
基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動
; ~6 _0 d3 l4 l4 Q3 K) u想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝

alab307

我再說一次
當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
) k" A! U6 \" v! N9 I$ N- ?/ S$ r(如在NW累積正電, 稱做invertion)
6 L: A$ A; J- A: z
只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

Behzad

感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。
1 }; H, S3 S% [; Q' u3 k
, R& W' @+ g/ c[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

alab307

我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
不過沒差, 原理差不多
唯一有差的是A-MOS無法inversion,
所以偏壓在accumulation區域電容才比較大
. n9 m" J9 F, z, v
) A. c& V& H4 \2 l3 v5 D1 }PMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容

qweri

AMOS 一樣可分N跟P
. V1 C! t; F* B
不同的WELL只是調他的Vt而已
1 c3 v. E2 O' x: s& P2 h照你的說法
NMOS ON NWELL
PMOS ON PWELL就可以了

也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了

hvpower

NMOS作到N WELL 上面 我覺得
4 A* C9 ?9 T* f! D( k; l6 V不就是一個多晶- 襯底電容吧？

renzhq

其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。
Pmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。
0 Q( |2 B2 B. j3 `2 Y也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度

liload

如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区

andrew_wee

15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。

賴永諭

PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???
其它接法沒有做過ㄝ??????
thanks!!!

savage1394

pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。
还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。

hana84

can somebody explain how to latch up ？