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[問題求助] body端輸入,gain的算法?

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1#
發表於 2009-4-1 15:23:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下,如果輸入訊號是由body端灌進去的,他的Gain的算法是怎麼求的?" c1 D9 N1 X- r! ^
例如:如果正常從gate灌的話,gain就是gm*(ron//rop)

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2#
發表於 2009-4-2 11:17:02 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

body电压从一阶效应看将会控制阈值电压vth
% a  a/ x. o  c5 j* ?vth=vth0+gamma*(sqrt(2*phi+vsb)-sqrt(2*phi))/ ?: I! y! S5 W7 I! ]
而Id=bata*(vgs-vth)^2*(1+lambda*vds)
; k8 f; \( g. d3 j; [% igm'=d(Id)/d(vsb), D8 H$ L7 B9 q& j0 @
因此gain=gm'*(ron//rop)
3#
發表於 2009-4-13 18:45:18 | 只看該作者

body端輸入,gain的算法?

找出gmb.
2 X- D- B2 _) Z* G( p6 lgmb=id/vbs, gm=id/vgs ! q# ^8 T4 ^3 N7 E6 u6 v4 ^
但不太懂為什麼要這麼做?
4#
發表於 2009-5-2 18:58:46 | 只看該作者
g大是正確的0 m" y0 P; I! O: V- E/ R
去Hspice的output file找gmb值
. U' H7 q/ A: J6 P! s5 K' e但是這樣的schematic基本上是亂搞7 ^" A3 ^4 E1 {  J
沒有人會從body灌信號! C, w" u0 V) E! e! t
(gain很小  又有substrate noise   還要擔心會不會latchup  沒人會這樣做吧 )
5#
發表於 2009-5-2 21:20:16 | 只看該作者
IEEE有很多篇關於從bulk端灌訊號的OPAMP
$ `( \! n( Z" W- }6 H1 g可以到IEEE搜尋鍵字多看幾篇paper
5 z/ M) v: o4 J! r8 u應該可以找相關公式推導
6#
發表於 2009-6-10 01:17:16 | 只看該作者
關鍵字應該是要找bulk driven
. X$ U3 u% m6 Z7 |0 D8 j$ ?通常是使用在low power的design
7#
發表於 2009-6-17 16:35:12 | 只看該作者
從bulk灌電壓,主要是想在low VDD時,又想ICMR大,偷input pair的Vth。2 f! w* C& Z8 j, M" H4 H3 h
假設VDD=1v,ICMR又想rail to rail,假設N、PMOS的Vth又降不下來,
4 T$ |- N9 O! c2 p; x4 X  wfoundry又沒提供low Vth的device,用bulk driven是一種偷Vth的方法;
; p7 c; _6 s: b但也是有缺點,印象中好像是gain變小,從gm變為gmb去推導,也會有接面漏電流出現...
/ ?- d4 x- |+ e& ]! Q2 m: O, V) O至於Vth能掉多少,大約是你偷Vbs的1/10。
' d: v+ s6 d) e# @* G9 n0 H& z請各位指教了~
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