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[問題求助] LC-VCO MOS選用問題

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1#
發表於 2009-3-21 23:46:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問大家8 u3 c. p/ |6 r) U7 ?
一般做LC tank VCO時  . m6 g+ b, l. J( @( Q$ J7 x. e
通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???+ t. E" w' t: \6 {- n# l
8 ?0 v0 l" x, X! q
雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
5 J3 V7 F5 j4 x- h  u4 B/ j想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)4 j' ], v9 L' u( @0 f9 B" }0 ~
: [5 @$ }+ J: g$ @2 ?$ D
想問有經驗的人
1 P1 f1 l; s* |# n1 A在各方面trade off  後  $ O) @; t  c) w, S' ~0 ?; S
喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
9 {: _! }6 f7 O# x, _                                                   謝謝指教~  Orz
4 o. t5 h4 B/ I4 ]5 ]! ^/ w1 F5 C0 h$ l6 ]
[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2009-3-24 14:57:39 | 只看該作者
为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢?
3#
發表於 2009-5-9 10:55:53 | 只看該作者
你可以參考IEEE: I; A% I9 R  E/ V8 C
A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
5 b8 O# c$ {5 i: o$ a: R: o他有畫一張比較圖在1MHz時3 X' `; y6 Y4 R+ U0 n
Phase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).1 N- C& T/ R& J2 ~0 P  z( g3 P
NMOS:看起來約為-115dBc/Hz6 a5 {- C1 T9 I2 a/ G
PMos:看起來約為-120dBc/Hz 較好一點
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