spi 如何認到LDD MOS

腳踏

spi 裡面有LDD MOS
要如何描述
" S9 C+ m+ ^+ x" H例如
% u- U% R$ }1 o0 r4 m% M6 G  j一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
9 l6 `4 O1 `: x. h# d4 P
LDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些

才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ

qetuo852

不好意思...我想請問一下
大大你是在問問題 還是 分享??

假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

- g. U* H3 G( `6 [8 q9 S一般 的MOS
; `$ B7 P! n! e! N, b: ]; g: lM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
6 O2 q" h& H. @( Z& s  Z8 u* \
# b% Z$ e. {/ N9 Y6 [3 A" kLDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些
! G4 b1 H" c  m, p8 T7 {, E
( J* k7 \) ?6 Z7 M! W- y還是...??

如有錯誤..請糾正一下~
ㄧ起分享學習，希望有幫助到
) o8 V# R7 H& T) i+ {謝謝

腳踏

原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表
不好意思...我想請問一下
4 V9 q  t  m+ h大大你是在問問題 還是 分享??

假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

1 U% q& F5 @# U& l. H# P- p一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1

9 g/ {7 \7 k; [$ i+ \" p* ?' SLDD MOS
1 j; B/ \) ?4 S" T) {5 JM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...

. r; {- O4 L) r8 n" S- e
2 \- [# k2 Z4 R, i) I這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問

m851055

是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS

skeepy

MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
LDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。

m851055

一般 的MOS
0 T, ?( d+ q  I! H. kM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS
$ a* m1 X; B' ~6 @) j# G8 n( M
LDD MOS
, t" e. C, F  r' X& hM1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1

linger809

我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。

wiwi111

原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表
我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
* `9 S) q' g9 s1 ~旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告

[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]

腳踏

原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表
/ b, y0 ?% J0 l" T6 l; D2 M
你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
, j) ^7 P9 H" p+ G2 D! @. y3 }這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
7 _  Z, Y( j$ E: INA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

試一下在SPI裡加上宣告*.LDD
就可以認到LDDMOS
4 k# U2 k4 f5 e7 L: F/ X' W. x) m. m謝謝大大的幫忙

moneling

更正上一則的回覆~
剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^

' k2 R( r9 E3 H0 K: i8 a6 Z8 Y1. 需要在 spi 檔內加入  
0 M1 ^6 G- g6 i) \4 \*.LDD
9 T- U- @( Y1 t- S9 K" N- a
2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )
ex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u
, C& o: t' H% |7 k, ~1 Y
3. lvs command file 裡也要做改變
以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)
6 Q9 o- i) b6 B8 K& v+ e& g
LVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
, H+ i  @6 Q- l8 @5 V# ~( yDEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)
" ^2 x4 A/ q4 w# ~2 f- @
4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
# T! n  D% H! s: X9 U0 y  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
. F5 N% F3 w) t9 u# |  e3 u4 @  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的
' a. d. T3 o% S5 Q) x6 K  ==> 通常使用在非對稱 MOS
  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件