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[問題求助] rfic设计中的 mos 的源级与衬底

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1#
發表於 2009-3-12 19:33:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
请问在RFIC业界中,通常情况下,实际设计中 mos的衬底是接到原极 ,还是接到低电平(地)?: b9 y7 z0 e+ A# I9 ~3 L3 l+ r
谢谢!
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2#
 樓主| 發表於 2009-3-13 22:04:38 | 只看該作者
没人回答吗?
3#
發表於 2009-3-18 09:24:19 | 只看該作者
如果是rfnmos或者rfpmos的话,由于是做在deep nwell中,衬底可以和source接到一起的,若是普通的mos管,substrate还是接到地好了,
" I% o' v6 F% g, C8 g3 C* C若接到source, layout会很麻烦。
4#
發表於 2009-3-20 14:13:09 | 只看該作者
RFMOS應該是直接接到源級吧,普通的就接地比較好lay
5#
 樓主| 發表於 2009-3-21 18:39:46 | 只看該作者
谢谢 你们的回答 谢谢
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