請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
# C$ n$ V; f' n) V9 q可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
% v! e8 v8 R+ y畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
& U, t+ x# P' y如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
& z7 r6 `- e) H0 ^9 D  d: {NGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
% `" X. w! Y3 x/ f' {7 p要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
GR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
6 D9 N. q: U8 v再圍上一層不同implant的Guardring
以達到雙重保護的功能
, z% w' {( [" E7 B; Z* v9 p
例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
: n/ u1 D. \, _再圍第二圈 就是PGR
  B* t: k/ d2 Q3 Y! e# p4 q
必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
此圈Guardring必須加上NWELL
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
# j. s9 W% j+ g: {( y不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
* P4 l8 S8 }3 ^6 {9 b( |5 j
! S, [* w/ N5 P$ z4 A* GlxRules(

lxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
;
3 c! d! t5 k' a) v) n! Q/ t; masterPath:
  r/ l3 d. t9 L, k9 w" C5 ^; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
[offset]
; [connectivity])
;
( b9 g: ], o6 G, F1 i2 T( o5 s; offsetSubpaths:
! Q2 o- |- N! i9 ]; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
[endOffset]
, A: s2 J0 h5 m% V; [connectivity])
, _3 {/ a! H; M! h, l;
; encSubPaths:
$ |: T! `# n( t, E/ n2 {5 n8 \4 v" L; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
; [connectivity])
;
6 D6 n3 \6 Z2 T; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
: O2 l1 P$ \6 R7 j  K[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
" J5 x  ?) d1 T/ J; [connectivity])
: L4 ~# y; K/ {; K& O8 n;
; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
9 g" C" s" A) l2 X;
+ K7 m8 j) m" ~% P2 b;( ---------------------------------------------------------------------
)
0 r8 Z+ [9 d7 X5 r: F% O4 V! w
(PP_RING_ROW_1
(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
((("DIFF" "drawing") 0.02)
(("METAL1" "drawing") 0.06)
- g6 n* H, c2 k6 P  P. B)
) ]7 t& M+ C8 B$ h  {((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
" p1 S" x. y3 F) a  F0.28 -0.25 -0.25)
! ], G0 l; s3 m6 C" X( w* i- N)
)
3 F: X! e2 l$ G' G) K, M7 k..... any other MPP define..
2 k' D) h8 V5 a4 c( |) `" G..... ....
..... ...

) ; end MPP
.... other class
...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
, m* y. R0 `, P' i  M% F% m# j& [就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
! p+ O$ z1 |. Z0 V9 D$ ]( a圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
- G2 ?' c' K$ D  U6 ?& D謝謝
~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
  J0 r+ c' f0 [3 C. y' kNGR n-diff 就須接最高電位.
/ A) G: S  A; k- @5 M  p( JPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
: {# k& ^5 X2 m: @/ p. i& q
1 m: A; T8 o- e! k$ R- w目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
; q5 m  B  y9 Z2 Z  D' G
共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
/ z) }6 i" }- c, X直接ＬＡＯＤ就可以用了
0 Y2 P+ x( [; z; F3 Z0 w( PＤＩＦＦ
ＰＩＭＰ
% a  d: E' U5 A' |) }  \* J1 iＭＥＴＡＬ１
% q* J8 n/ a3 V" aＣＯＮＴ
# u9 H8 a: f: X' Y% |ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱

7 J' a0 V* ]9 i+ J* M0 o: T[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
# ?. b3 v5 V% q) `& t$ g, qload后如何操作？
谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon

碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
3 X  Z7 `# w' C非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
5 P! K1 E2 `# ?6 `. c- q不能亂接