請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
NGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
. m) R7 O$ k% }1 k$ `; F要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
! t) @+ e) [" f, OGR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
: w; D6 [+ t& f7 C: N( V0 V再圍上一層不同implant的Guardring
以達到雙重保護的功能

例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR

& _. I' B/ s$ J7 r9 O+ m" M) V必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
此圈Guardring必須加上NWELL
/ h- {3 h; y. S5 z+ j而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
* R4 c1 K% k0 m; V5 X不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
  y6 M( D4 V+ D4 B+ Y) T+ z3 f在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用

lxRules(
2 D  a' W6 e* M* D2 T% b
/ X, r& g- V% Z& GlxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
; c8 p/ O) m* u7 C  p; p& E;
( r: ~; M/ E% b; y, C% d8 t; masterPath:
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
/ h* C+ R4 p" @& D  m[offset]
; [connectivity])
0 o3 @& N# h- V" w5 G' c;
; offsetSubpaths:
: P9 \+ l, p6 |- I* q; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
. N) |4 Z1 o- E3 S' [+ u[endOffset]
; [connectivity])
5 M8 S" d7 X$ p& @" ^+ ^* E, V- s;
; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
* w" O& {1 H4 X' b6 _; [connectivity])
0 D& P: N0 {6 @. V( h' o2 h8 M, A;
# {; g1 J. a: f8 L5 d; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
' d$ Q% P4 k  T9 g3 ~[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
7 ]3 Z2 n( m# v+ t+ H3 K/ K; [connectivity])
# w" n* }. U% `% q;
; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
& V6 i! e3 A* x1 c: Z;
;( ---------------------------------------------------------------------
)
5 ]+ f: c6 p' K7 c/ M, A
(PP_RING_ROW_1
( w2 u# y! G. J9 v9 R% Q! Q0 t(("PIMP" "drawing") 0.46)
3 k7 t5 K9 }( Q+ Z' C/ @" a+ {, Vnil
. K- W3 M1 U3 ^  k- e4 I5 W((("DIFF" "drawing") 0.02)
9 l6 k3 z6 z) F' O  x+ E(("METAL1" "drawing") 0.06)
)
9 C; |' Z2 m" I# [2 A$ K((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
6 {' \" V; y5 G$ T$ ?  A+ o$ }0.28 -0.25 -0.25)
: y8 Q1 _* }9 Q. |9 R& d)
)
..... any other MPP define..
5 z  j" J% d4 p& K* U- b..... ....
. p- @4 b; D7 ]8 ]' p& f..... ...

) ; end MPP
.... other class
...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
+ I" x  Z/ S6 F就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
6 t5 t: e% E" U，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
謝謝
* k9 }! A' F! y( F6 |~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
7 `) t& m4 ^! G
' s3 _! v$ ^2 [) I: e$ ~3 T  b目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

yalon

總知 !!
/ a/ M5 B5 `+ F% E2 Q. vNGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

) S( q! _7 i  _( l目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
6 B# N/ s9 o: P3 e直接ＬＡＯＤ就可以用了
ＤＩＦＦ
8 S) p  b8 S5 I, |, xＰＩＭＰ
9 K( f5 Q( [& P  B( I& }ＭＥＴＡＬ１
. ~, B0 b+ x3 c. R$ d9 Q4 hＣＯＮＴ
ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱
! b! o; h2 ^  i' A6 X$ Q
; I  D2 @8 ~; \4 w1 C9 |[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
, D, y. @0 `/ m& Kload后如何操作？
谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。
& J) K- x5 A" I( ]) n6 D+ R, P) b
想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon

# H& {' q2 Y: D0 ^% L& o碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
8 b1 I& q! ?. a; W+ Q+ S8 }+ q不能亂接