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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring- h- r) l! h9 f0 o( U
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,) s4 T2 X, v  \* [. n4 I6 \% _
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
' x9 z+ b( F" Q; I9 ~& e* d如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR
* w+ ?) N7 {5 }: {. s9 ~所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,  G" h- ^7 L$ _! D2 {
NGR就是metel+cont+diff+np,
' l9 D' y0 S$ dPGR就是metel+cont+diff+pp,6 r  d6 c3 L  J) l
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,
+ R& B* P9 ~9 A0 f4 ZGR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
4 s$ ~, ~6 O: V: H( a再圍上一層不同implant的Guardring9 p6 H5 K+ u1 f9 h" _
以達到雙重保護的功能, q; ^/ q- I8 b$ _9 g
; E+ h2 g! j5 l! W- S( U
例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)4 Q" D2 r0 U, s$ ^  g" U
再圍第二圈 就是PGR0 N2 V8 ?; _! H8 J/ }
/ |6 i& x/ l+ o7 }' ?0 o0 [3 d! `7 Z
必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
4 s. V" C! f0 J' Z: z3 ?  ?此圈Guardring必須加上NWELL
2 j$ ?* n7 d) P/ @! |9 r而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
% }4 i1 Y2 t5 m# [' l* y7 }不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring/ b' g8 G' x9 b% J3 G
在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用. w  [6 e- A& I4 Z& c$ r$ z8 R
, f- x) a0 ~" P6 W" P0 W# A
lxRules(
+ X7 y9 G4 k: E* L" k& J+ N, a) f% [9 D( n
lxMPPTemplates(
; {+ {3 N, g  c# W* X* d; p;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
# r! v! N3 }6 {2 ]2 O$ Q" J  o;
8 U0 T& p+ P! Z; masterPath:
+ }: f; W1 |! Q9 i" R; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]; L( s1 b" r( l4 v6 `5 O& C1 J7 O
[offset]3 w2 W4 b9 V% _5 d2 C8 w3 ]
; [connectivity])7 Y3 Q7 L4 ]2 r3 r
;7 S1 n9 Z5 V- N
; offsetSubpaths:- x) a7 y( k0 }8 V
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]# f5 u4 u- e5 f! T" T
[endOffset]
; W# d( O. ~* R; [connectivity])
* ~) _: Z7 r* K- E;* |( e+ a" g3 e- |/ e8 P0 ?' m
; encSubPaths:' [- H3 s( k0 W5 q5 |+ O, _7 H1 v
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]  T6 s" |) `3 B1 P% C
; [connectivity])( ~% c+ o) S. Q/ T3 F! Y  F+ i$ ~7 U& L
;
6 W: R$ r4 I6 Q* F" p; subRects:0 n; i9 B# c$ ^4 a
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]# i1 n% p/ i) r' e/ R
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
4 H- t' ?4 A( l' V$ I( S; [connectivity])
& W' r/ o6 p6 G& y+ ~/ };
! U  v5 R( M8 e2 ]$ B' U" b( l9 o; connectivity:
* m3 Q( U* B4 j3 w0 W9 W% T; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]5 _; u, ~" @0 w& z( q
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
4 k4 Y4 I6 Z! g, j$ u; [refHandle] [offset])( K6 f7 R3 ~: e+ |; F, e, d
;
1 \: }" z) r9 w+ l4 W;( ---------------------------------------------------------------------
9 m# Y, |  |6 {, [- _)" `5 V! G" l4 Y

4 w. r9 a7 D8 \0 Z: u4 x% K(PP_RING_ROW_1% ?( B% }5 Y8 f$ f2 _" f
(("PIMP" "drawing") 0.46)
9 H8 h) h% R0 @" o! f3 Onil
5 M3 z  N, _/ T' @/ i3 i1 J* W((("DIFF" "drawing") 0.02)
8 u4 U( Z- z" r6 \0 F(("METAL1" "drawing") 0.06)
' a! L" l/ @% ?; F  n- Z# m' U)
4 c4 Q+ v, y6 e" |- `* y((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
9 s8 d4 I6 l$ v1 z8 C# Y0.28 -0.25 -0.25)
2 D+ |7 C4 a$ I( Y" @9 K)4 h( |: H/ |& r$ G* N5 a
)7 V9 w6 U! p9 R$ H' z( u( c3 Y0 z
..... any other MPP define... Z7 \$ i+ E$ E! _  @
..... ....$ ^% m2 c2 B- W  K: X5 j# z3 ^
..... ...2 G( G, }5 l+ U+ _& M
* u' S( w( A3 \; k  f" y$ d
) ; end MPP& I, \  {, G( g+ N0 H& v8 ~# s
.... other class
, ]$ \- j% r* J9 o6 ]! a. k...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,- N* ^9 X4 f% z0 H/ K
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,# E& J+ V* v  u' N6 _; ^1 T
圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用: n  j* k( ?- u2 y, b
,還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫) b1 |, x0 A1 B1 R
謝謝  [# f* q& D& b: ^/ p- b
~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!
  u* Z& X1 v* C. j* t4 e7 E; J. l  NNGR n-diff 就須接最高電位.
: {/ Y2 m  F* V( I/ bPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
3 s# I, n4 v* j
4 `+ v3 i0 k8 |9 W# P! h1 ], ]目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.3 o5 ~8 e1 }9 @
' h' ^! W, h! X5 ~5 N* s
共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!
* w4 D/ H$ q, ENGR n-diff 就須接最高電位.
% T4 V/ x  K' F* b- QPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.# c) {8 U4 B  j
, s0 Z( l1 ^6 x% G% n
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.5 i1 X  j. R# m+ T+ Y

/ I0 }0 B! G% K# Q, @7 L 共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring
) }/ \4 A5 S5 {# v# y* M直接LAOD就可以用了; m6 c! H( J( p* |2 c
DIFF3 P: L0 |- ~' h
PIMP
# Y1 f+ I+ \0 W0 m% MMETAL1
2 ]2 H$ o, u' m6 n8 a; WCONT- `' K% t# _) k" L* ^
LAYER請設定成以上名稱1 `/ r8 _9 `' O& B6 G4 M
% g/ L. ]0 ?! g  O
[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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x
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?% ^$ J& o% w8 G$ M8 P* F
load后如何操作?. y8 [" @' ^" U+ P8 v) S$ F
谢谢了: C4 n9 C' B( G
这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。, Z* G1 P2 T6 [0 j, p  }- P& [( H
* m% o8 n. g) b
想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon
9 E+ n8 q! U0 ?+ O( g+ F; k# H+ l
0 ^8 w; ^) I3 p  Y- O* x8 a% G碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。: E  o0 i- ?& z0 q$ D
非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的3 E' o  L2 f5 S* {+ _
不能亂接
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