請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
" [0 h0 i$ H% f3 S2 r如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
NGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
* d- }7 L- V, ]" J1 yGR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
再圍上一層不同implant的Guardring
以達到雙重保護的功能

例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR
0 I) d1 ~" [3 a9 u) i
8 h4 ^9 H- X  E$ w3 u必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
' I! C& O0 @0 Q) f& |9 t此圈Guardring必須加上NWELL
8 j6 j4 p2 y1 {6 ~& N  m而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
& y0 s* j1 x$ g( Z1 C* {; g. A不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

188

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
, W7 Q( n( i3 u4 |" ~" C~~~~~

AIC6632

guardring是很重要的
不能亂接

skygardon

回復 15# smilodon
: F. t* H# {& V+ C- _: p0 S# V; P1 v
碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
非常感謝，請指教～

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。
8 x2 J2 f3 L3 X' Y* H2 K
7 b/ _$ f3 B$ u. w想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

summer_hello

直接修改techfile?
load后如何操作？
谢谢了
3 i9 ~+ A( u8 B& o. w1 [, I这样限制字符，有点不太好

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
( _8 ^: U% C4 B( K& n/ t3 A% O4 D直接ＬＡＯＤ就可以用了
ＤＩＦＦ
ＰＩＭＰ
ＭＥＴＡＬ１
ＣＯＮＴ
2 i0 ?; {, l& I% VＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱

; Y4 w) w* Z2 b[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
2 I9 k4 s2 D  v& G0 PPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

yalon

總知 !!
( D3 s* w. n& |, sNGR n-diff 就須接最高電位.
" S1 S* o$ u, V8 C2 h* LPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
& K9 F3 ?  ~, C. u! V5 l
+ _( D/ {1 t6 ~9 [9 f% ]  \ 共勉.

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
' X  h+ g! I5 J# U8 p) x+ y" i( y7 `謝謝
) y+ t7 G. h3 q4 r( v. G' j' d5 O~~~~~

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
% i; z( \6 p  `& E7 |就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
) z. Z. c& c) Y6 ]: x! i- j  c% c，還可以打雙排contact當esd ring。

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
3 h- x7 P' b1 ^5 d* H在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
* v9 ?( |; _' U: h* C" l
& _# N1 c1 n( G5 Q7 c& @lxRules(
6 F1 ~7 |1 D6 _, |3 ^' f
lxMPPTemplates(
% W- @/ @$ U/ Z- ?0 _. c, a/ i- _;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
6 B7 m/ ~) P- K' y7 K+ V& |;
; masterPath:
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
/ T" [( i" Z$ o- T7 p0 U[offset]
; [connectivity])
;
; offsetSubpaths:
- X0 b8 u3 _! z; z# B; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
" W; A3 Z1 G) g) ^# b+ b+ @[endOffset]
; [connectivity])
;
5 v( v( H0 ^* g2 M# K. M. _2 f7 P7 f; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
; [connectivity])
7 {- R2 H8 W2 Z$ v;
4 n# P  D! }6 T" g0 w& ^" I) Q; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
. I+ x6 d7 Q* ~2 W3 N( G; [connectivity])
( Y. J$ x  ?4 h+ I+ |) p;
$ f- U! n; s( D6 G+ f7 C; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
7 t3 \8 b9 k+ z; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
6 P7 d+ r3 o+ \7 c1 B! |& i* \;
;( ---------------------------------------------------------------------
) Y0 U. F5 c* j: H# C9 x* {)

: C! N% H" L* x(PP_RING_ROW_1
: q# G" ]) Y( J) f, a8 _(("PIMP" "drawing") 0.46)
3 a! s0 u5 K- Z0 V1 W) hnil
((("DIFF" "drawing") 0.02)
(("METAL1" "drawing") 0.06)
)
0 A# R! s6 T8 g; r((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
0.28 -0.25 -0.25)
)
+ E7 F5 Q8 |$ Y  A4 E)
..... any other MPP define..
..... ....
..... ...

3 o+ b0 M8 V, Z) ; end MPP
6 M; o* U% f2 \/ K- ?.... other class
...

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！