請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
+ M; `$ w3 @/ F! E可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
: x6 g/ u: b9 ^5 E如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
! _" ?% Z" Q: [NGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
0 \* n  r5 P4 @* G$ W% S要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
: \0 n  Z" u6 }0 k; g+ yGR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
2 |$ q5 T+ ]/ }9 ~+ C- u再圍上一層不同implant的Guardring
+ q$ C8 t" k1 D# a3 u以達到雙重保護的功能

例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
& U: g- B; b; v" S再圍第二圈 就是PGR

) I& q: s/ ^6 I7 H  R/ ~必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
此圈Guardring必須加上NWELL
* K/ o3 c+ y" o% G而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
: A  Z& F# r6 V% o2 O; x不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用

; Z, m8 l$ @( f6 _# O" G9 YlxRules(
: [: r7 y0 g  j# w- g
- I7 p. l6 C+ ^& r, KlxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
' _4 y; `( _$ [  s6 V( H$ \;
; masterPath:
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
[offset]
$ a! v) t4 A# g8 C, j8 L; [connectivity])
. c; N5 J! T" W0 J;
! d0 {8 o& x: b4 s' n" i' B; offsetSubpaths:
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
[endOffset]
' r4 l. X& y0 g( |; E% r; [connectivity])
" E, a, S; k' l! |  M;
; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
; [connectivity])
. j8 m7 S9 A2 j* r+ ?;
; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
) M: O0 F0 A6 [0 Y2 m1 z7 Z! z: K; [connectivity])
$ M- r" c- F  Q5 W4 f$ A;
3 A  s: k# R2 U1 W$ T1 e8 Z; connectivity:
. @0 O' c$ _6 {5 q3 R; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
! G4 L2 r) @: }4 A% Z& d# S1 h;
;( ---------------------------------------------------------------------
)

& s# H7 h- _; T2 }; B7 b7 t(PP_RING_ROW_1
8 M' m! g" D6 A# c(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
1 C. X1 s& k3 _& X((("DIFF" "drawing") 0.02)
(("METAL1" "drawing") 0.06)
)
6 \; |2 A# X0 j9 }' W. t. S0 E((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
/ z1 N! m9 y9 d, f& X& m0.28 -0.25 -0.25)
)
8 v& }+ Y' }1 G)
..... any other MPP define..
..... ....
..... ...
7 J8 H) L+ [0 t' f3 {  i  j3 U
1 M2 D7 A6 `; |8 O4 I) ; end MPP
6 U5 z1 m; f# }6 c, }* @' S- a.... other class
...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
) R, Y5 z7 o) n- j就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
3 p* x$ d3 W& R/ c  m/ u圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
6 x- N9 r% M$ b+ I/ Y，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
謝謝
~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
6 n2 L0 M' X% kNGR n-diff 就須接最高電位.
0 V# i, w0 G( U" [! J0 j2 H0 QPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
+ l5 V! E' T+ P4 T
, k( `# @& R0 G( |) L4 ?" K0 l目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

: O. ]" I# p: V# h- ]5 ?8 T- N 共勉.

yalon

總知 !!
! q' X  K" U% y7 b2 V" ]7 O7 D7 a' ^NGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
/ I- M. ~2 ?# @2 g2 @
共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
直接ＬＡＯＤ就可以用了
ＤＩＦＦ
% P* L; h& ~6 w3 }3 AＰＩＭＰ
ＭＥＴＡＬ１
, d( Y0 ]( h  b! rＣＯＮＴ
ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱
, e4 h9 @- ^+ l+ {& S
+ p4 T6 J* K' K5 d) w[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
- w( [' ]  X  mload后如何操作？
谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon
+ ^$ x' }) I5 v* Z8 h& g
  K$ j0 Z) W- A碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
1 I% i3 q0 B" w, _; E, Y; ]- _) ]: s非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
不能亂接