DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
+ X8 `+ D; ^; Q* h8 I/ B謝謝!!
: p/ U1 ]: l( K2 J( q4 K6 P1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
/ P- Q: f* R0 Y1 ]( q   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
}
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
' l& q, m% b4 O7 P) M   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
9 L8 F) }4 n6 e- f}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
  `, E, L5 U6 Y# t$ ]" r如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
. ~) v' o" K- p) wPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
7 T6 ^" j+ U" u/ JM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
- ?: D3 K9 L* ~+ H& ~4 p這應該是poly與metal的density的問題....
- ]- Y0 P9 _8 E5 EPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
. b- Y% L% e: C, j  V: E好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子