DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
3 O3 ]7 v& G4 {  ?   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
}
. I- q: Q/ n% K+ W8 ]! d2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
" z% W, L5 y, W% T- b# {0 A   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
7 }( R( [: }9 X2 f4 z}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
0 ?, T0 U6 r# `& f# D8 r9 [如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
$ p# L. }% `% V1 Q+ k. p6 d8 V" o; mM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
0 w7 J, M8 D7 q* x, ]& ^+ yM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
" O' w6 o& I! f2 z: r0 e( N這應該是poly與metal的density的問題....
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
) L' t: z- g, u4 U: N. c好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子