DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
3 P. s2 w% V- u/ r" W}
6 S6 X6 E- i6 B0 `9 x4 K0 U2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
. O( o1 Z+ K: f   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
! |& s: c6 ^! `/ b& F/ |. h0 I9 i}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
這應該是poly與metal的density的問題....
; T( c' ^% v! m9 v+ p2 K% {* XPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
1 B5 h2 s' Q' @/ j5 v5 }# I好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子