Power MOS架構問題

libra3333

有誰公司有畫過類似Power MOS架構，能在TSMC製程畫嗎，如果能那W/L如何計算，因為Poly會有重複的問題需要知道。

edengod

左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U
POLY to POLY是2U  每條POLY 為17U
17*10-5*5=145
右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,
看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,
: N( c7 K1 u9 B9 q就這樣子

sjhor

通常  POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!
8 G5 N* Y2 e; b. \& c; [4 H/ W他是看整個 Rds(on) 所以  這些的誤差應該是可以忽略的吧!!
口字型要看她的整個結構  還有引電位的問題!!
& p! h* m0 ~" M  d6 \; R口字型  應該是對稱性的結構比較好畫!!
1 ?- C# i4 M4 u% e  b% {$ y, m" q若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!

bowbow99

Rds(on) 是什麼？？
怎麼判斷Rds(on)？

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家， 。。。。。。