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Mos inside的問題

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發表於 2007-12-20 12:22:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
目前的analog 趨勢是儘量可以整合成1顆IC,但是將MOSFET整合進IC裡,除了面積大之外(成本高),還有Rdson的問題?
5 \) E+ S& t9 H! L除了從製程著手外,想請教各位大大,從電路上如何能有效增進效率,或者可指導有那些方向可以check的?
, z+ i2 y5 b' z9 \) U0 P( h% T) D; ]$ |
Thanks!!!
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