op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過

, K+ Q* q0 T( ?: N依然還是一樣的錯誤訊息！
5 a9 _) {* e% ]/ m. ]' y
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
: a4 n( ~, ]  O+ O& V0 n這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

+ E0 ^- q& ?6 b, g. K( t* O類比電路果然難理解
8 f  [  Y! n9 Y6 l0 I* S
希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
# @( V5 |- r' |1 R在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
( r/ C' Z5 c3 G# u/ K+ z
這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!
% O' O5 w" M# z7 l
0 @" A1 B- |( r0 N. O4 @6 }) J1 uOD是什麼意思？
5 R9 v6 U6 y1 ^% pP-well不是nmos的p基體嗎？
3 K- w$ r3 Y! h* z" Z. C
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
+ |$ U$ @& C. P9 C5 h# S* p是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion

在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
$ h/ p  k  d8 z6 {( {- G加 N+DIFF ㄉ地方
) q% }4 i# S6 L* V0 r% B7 C" P
0 X1 H( V7 J  W0 D7 e6 X0 t& f以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
3 i6 ]1 k! m. w2 r7 R就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
0 H0 F1 P5 U( J1 ]% `) T) W簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解