op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
6 J% `: J7 H, \! V+ b也問過我們學校的助教們
& k) y, e% B! v! ~' L但重新依照他們的指式在畫過

依然還是一樣的錯誤訊息！
2 z, X% N+ ]1 ?0 R% k2 J
; p! _! j& J! eLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
2 V0 Q  ], k( u) R) _我也問過其他老師、他說要拉超過20um
2 G! r: _5 u7 O0 j0 x5 Q  e; d但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

類比電路果然難理解
$ @" X+ y8 X$ E
. ~9 u% g4 s$ x7 ?7 |9 R) _  \& K希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
0 o2 F9 ]) c5 ]/ h$ |
這個我有點看不懂是什麼意思！
* B1 \, f1 X$ m( a  v可以在詳細講明白一點嗎!!!

OD是什麼意思？
P-well不是nmos的p基體嗎？
! E, f& o7 w6 D; _
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion
0 Y! A' U$ e9 B- m" X: J
在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
2 I1 O, W/ Q& w: L4 s# P; J9 e0 S要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
加 N+DIFF ㄉ地方

5 V/ {4 }. m* p# _. n1 Y/ w7 u* n以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
* s3 ]% r( y0 c1 k就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
+ H# I( S0 a/ t, e/ d' |# {! u簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解