op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
$ v& l4 G2 L) F) b$ _6 U8 V  r. ^也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過
5 b& {2 ]- D" }) m
依然還是一樣的錯誤訊息！
5 h1 k; ?# l7 {' H( A5 C
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
" E0 `/ S0 y3 n0 R這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
( W* v. y$ Z; v9 ]我也問過其他老師、他說要拉超過20um
7 O9 d" u' T& D. W# n; ~但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
5 a4 a' }. c# c, J7 W9 J4 a
1 h8 [  p$ u% [1 u  Y' F* w類比電路果然難理解
* N) o( w' W0 q8 K4 l: V" h
  c8 n- w. y& L, ]- C希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD

這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!
1 C4 Y) Q) P% ^/ }( h, |
( Z: e: M1 B) P5 bOD是什麼意思？
2 j, }3 k0 Q$ KP-well不是nmos的p基體嗎？
+ m. a% o- r* }7 A3 z3 g6 s
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
0 J1 ~1 ?+ i* K1 H$ o3 {+ _是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion
9 ?) z( R6 Y; j) i: L1 k
: o' Q# b. B5 r( H- ^1 A% P在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
; g6 Y6 g2 ]# G9 o& r) p要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
2 \" Y0 g  P! c加 N+DIFF ㄉ地方

8 Z& F( {$ n  q6 C以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解