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[產學合作] 統寶光電、中美矽晶通過竹科創新技術研究發展產學合作獎助計畫

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發表於 2007-11-28 15:06:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
新竹科學工業園區管理局日前召開第156次創新技術研究發展產學合作計畫獎助審核會議,會中通過獎助統寶光電、中美矽晶等2家廠商提出之創新技術研究發展產學合作計畫。2 Q. K* u4 T! u

1 j- w2 V, X2 `' i7 z  C統寶光電股份有限公司「低溫多晶矽通道摻雜製程新技術開發」研發獎助案,該計畫與明新科技大學電子工程系進行產學合作,擬開發「低溫多晶矽通道摻雜製程新技術開發」,以目前之LTPS channel doping process,會在channel doping前上光阻,利用曝光原理將PMOS以光阻擋住,使NMOS部分植入離子,本計畫擬研發 New LTPS channel doping process 之技術,主要是省略channel doping mask並找出最佳channel doping之劑量與能量,以利PMOS不受doping影響,使TFT能與一般經低溫多晶矽通道摻雜製程之TFT一樣正常動作,維持其應有的優良特性,同時節省光阻成本及曝光時間;獲新台幣560萬元獎助。. [. {" O* a) t& }; I

1 S8 r" Q0 k; J8 N中美矽晶製品股份有限公司「高效率微奈米圖形化藍寶石基板設計及開發」研發獎助案,該計畫與清華大學奈米工程及微機電研究所進行產學合作,擬開發「高效率微奈米圖形化藍寶石基板設計及開發」,發光二極體要成為主要照明元件必須在發光效率上有所提升,而發光效率的提升常見方法有在出光側作表面粗化或在基板上作表面圖形蝕刻等;本計畫擬開發藍寶石微奈米圖形化技術,係在磊晶成長前,設計特殊奈米微結構,在藍寶石基板上製作規則的圖案,藉以控制LED之輸出光形式,將可同時減少生長在藍寶石基板上GaN差排缺陷、改善磊晶品質,並提升內部量子效率、增加光取出效率;獲新台幣480萬元獎助。
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