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[問題求助] LDO输出电压毛刺如何消除?

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1#
發表於 2007-11-21 23:42:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我最近设计的LDO,输出电压为2.5V,输入电压3V~5V,负载电流10uA~300mA.当负载电流由10uA突变到300mA时,输出电压会产生一个大于1V的毛刺,如何设计可以将毛刺减小到500mV以内?恭请各位达人不吝赐教,本人在这里先谢过了。
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2#
發表於 2007-11-22 09:11:01 | 只看該作者
当负载电流由10uA突变到300mA时,输出电压会产生一个大于1V的毛刺.
1.transient response slow.  try to get a wider bandwith,and still stable.
2. Gate drive ability.  Need lower gate impedance  to increase gate drive. This will increase Iq.
I think you can cut down to 500mV easily. try to target at 100mV.
3#
發表於 2009-4-29 16:26:58 | 只看該作者
增加你的瞬態回應能力吧!即增加BW
4#
發表於 2009-5-4 10:23:03 | 只看該作者
10uA時候輸出級(PMOS?)幾乎OFF
你可以想像要讓這大PMOS的VGS從0.5V -> 1.5V (這是舉例)
需要多少時間嗎? 不完全是因為BW

可以先提供你的輸出電容大小嗎?

[ 本帖最後由 alab307 於 2009-5-4 10:25 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-5-19 06:49:39 | 只看該作者
可以再输出与MOS GATE端增加微分环节以提高暂态响应。
6#
發表於 2009-9-13 22:11:38 | 只看該作者
我也遇到类似的问题,不知道你的具体电路,能否发出来一阅?我的目的是想设计出大电流(500mA左右)且无片外电容的LDO,可惜都很不理想,要么不稳定,要么暂态响应极差。你可以试一试把参考电压的从上电到稳定的时间变慢,或许对上电时的暂态响应有帮助,但在断电时会出现另一个大的毛刺。总之,不补偿是不行的,关键是怎么设计,看了好多论文,似乎都没有彻底解决无片外电容LDO的设计问题
7#
發表於 2009-9-15 09:11:47 | 只看該作者
你可以參考 Semtech Sc339 的D/S 線路~~~也許可以解決你的問題
8#
發表於 2010-5-27 00:38:07 | 只看該作者
我在測重載也遇到這種問題,我也想知道如果不用補償,直接調SIZE不知道有沒有辦法解決這個問題...
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