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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
" I+ n8 @' n7 Z1 k+ I; A- @不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source, / h" }9 Z4 `$ q- _! G: r
不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的
7 S+ r; H8 v  {, l+ O# c5 a5 ?關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是3 g" j+ ]8 g8 l' i
基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ) j# y- w5 g+ D
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
3 Q* L6 T5 o( J& g% ]+ W( ]: HVIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
2 W7 `7 u! x$ W, o; g# Y電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1   g% i3 w& i0 ?7 h$ c( S

7 o" U' a. R$ q" r' Y7 f8 v- V% w打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩
  C* N( F+ R. S  `  x. C3 Q打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, 7 C# C9 I: J4 _

9 H" u% K3 j/ w/ o* l( U要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
2 J; \3 Y! l( B$ H+ b' M+ Q; l. n1 }via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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