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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
$ N1 C! @, Z) ]) Q0 x8 @& w. g不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source, % j( o+ o" a) X+ f) q) v
不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的1 o. O. E* t  K+ v; i- j1 M
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是2 K( h) u% j. F4 ?5 Q5 o9 ^+ J
基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ) D3 i2 p& ^+ {9 Y
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
- a' H2 t6 L! [9 ^6 e0 JVIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
/ n7 Q' L# r2 `. Z8 d3 B, a' W電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
, @7 l2 h; a( I' @0 l) j7 Q+ \4 B  O% A  v
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 : O4 _$ @. W  J2 |
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容,
3 Y+ ?0 W, z) Y6 ]. S
) |4 @+ n" x; x2 S! A* t, D7 \要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
% W* C8 O- ^: a1 s8 Y7 ^via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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